微束分析 透射电子显微术 集成电路芯片中功能薄膜层厚度的测定方法.pdfVIP

目  次

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4符号和缩略语2

5方法原理3

6仪器设备3

7试样3

8试验步骤4

9测量结果的不确定度5

10实验报告7

微束分析透射电子显微术

集成电路芯片中功能薄膜层厚度的测定方法

1范围

本文件规定了用透射电子显微镜/扫描透射电子显微镜（TEM/STEM）检测采用集成电路工艺制备

的半导体芯片中功能薄膜层厚度的测定方法。

本文件适用于所有半导体芯片。代表性微纳器件为各类Si基芯片、化合物半导体基器件、宽禁带半

导体（GaN、SiC等）基的功率和射频芯片、Micro-Led等。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于

本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定

GB/T18907微束分析透射电子显微术透射电镜选区电子衍射分析方法

GB/T19