半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法.pdfVIP

半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法

1范围

本文件描述了近边缘曲率高度z的径向二阶导数（ZDD）法。

本文件规定了适用于硅片或其他半导体材料晶片近边缘几何形态的评价方法之一：近边缘曲率。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T14264半导体材料术语

GB/T25915.1-2010洁净室及相关受控环境第1部分：气洁净度等级

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

3.1

近边缘曲率near-edgecurvature；ZDD（radialdoublederivativeofz（height））

使用晶片高度的阵列数据获得垂直于硅片中位面一系列Z坐标的径向二阶导数所描述的参数。

3.2

边缘去除edgeexclusionnominal；EE

从合格质量区边界到晶片物理周边的距离。

4方法原理

将晶片按照不同的半径和圆心角划分为若干扇形区域，选取每个扇形区域中高度数据阵列，逐一计

算沿