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2026年微电子学专业微电子器件技术评估测试试卷及答案

一、选择题（共30分，每题2分）

1.以下关于本征半导体的描述，正确的是：

A.本征半导体中自由电子和空穴浓度相等

B.本征半导体中自由电子浓度大于空穴浓度

C.本征半导体中自由电子浓度小于空穴浓度

D.本征半导体中没有自由电子和空穴

2.PN结在正向偏置时，其特性表现为：

A.高电阻，电流小

B.低电阻，电流大

C.高电阻，电流大

D.低电阻，电流小

3.MOSFET中，栅极氧化层的主要作用是：

A.提供导电通道

B.隔离栅极与沟道

C.增强载流子迁移率

D.散热

4.以下哪种效应是MOSFET短沟道效应的主要原因？

A.漏致势垒降低

B.载流子速度饱和

C.热载流子效应

D.以上都是

5.双极晶体管的电流放大系数β主要受什么因素影响？

A.基区宽度

B.发射区掺杂浓度

C.集电区掺杂浓度

D.以上都是

6.CMOS电路中，PMOS和NMOS的宽长比通常如何设计以获得相同的驱动能力？

A.PMOS宽长比大于NMOS

B.NMOS宽长比大于PMOS

C.PMOS和NMOS宽长比相等

D.取决于工艺节点

7.闪存存储单元的核心