IEC 63373:2022 GaN HEMT基功率转换器件动态导通电阻测试方法指南标准立项发展报告.docx

IEC 63373:2022 GaN HEMT基功率转换器件动态导通电阻测试方法指南标准立项发展报告.docx

GaNHEMT基功率转换器件动态导通电阻测试方法指南标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:DynamicOn-ResistanceTestMethodGuidelinesforGaNHEMTBasedPowerConversionDevices

摘要

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)凭借其高临界击穿场强、高电子饱和漂移速度和高二维电子气浓度等优异特性,已成为新一代功率转换器件的核心候选方案,在消费电子快充、数据中心电源、光伏逆变器及新能源汽车车载充电等领域得到广泛应用。然而

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