IEC 63068-2：2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第2部分光学检验缺陷的试验方法标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第2部分:光学检验缺陷的试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices–Non-destructiveRecognitionCriteriaofDefectsinSiliconCarbideHomoepitaxialWaferforPowerDevices–Part2:TestMethodforDefectsUsingOpticalInspection

摘要

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，凭借其高击穿电场强度、高热导率和高饱和电子漂移速度等优异物理特性，已成为制造高压、高温、高频功率器件的核心衬底材料。然而，SiC同质外延片中各类缺陷的存在严重影响功率器件的性能可靠性和良率，如何实现缺陷的无损、快速、准确识别是产业链质量控制的关键环节。IEC63068-2:2019《半导体器件——功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准——第2部分：光学检验缺陷的试验方法》由国际电工委员会于2019年1月正式发布，为SiC外延片缺陷的光学检验提供了统一的国际标准化试验方法。本报告系统梳理了该标准的立项背景、技术内容、编制依据及应用价值，详细介绍了标准所涵盖的光学检验