JESD22-A117-2023 中文版 功率循环试验.docxVIP

JESD22-A117-2023中文版功率循环试验

一、功率循环与温度循环的区别

1.1内部热源与外部热源决定的温度场差异

功率循环试验把被测器件自身作为发热体，加载电流在芯片有源区、键合线与互连上产生焦耳热，热量经芯片贴装层、引线框架或封装基板、导热界面材料传导至散热器或冷板，环境温度与冷却介质温度在整个循环里基本保持恒定。温度循环试验（temperaturecycling，TC）则依靠温箱或冷热冲击设备改变样品所处的环境温度，热量由外部空气或冷板传入封装，整只器件连同夹具一起缓慢升温与降温，器件内部在驻留充分时趋于均匀温度。两种试验在热流方向上的差别，决定了温度场的形态：功率循环在芯片结区形成陡峭的结温梯度，芯片、贴装层、基板与散热器之间存在逐级温差；温度循环在充分驻留后封装内部温差很小，应力主要由全局温度端点与材料间的热膨胀系数差驱动。把结温摆幅作为核心变量，正是功率循环区别于温度循环的根本点，环境温度或壳温只构成散热边界条件，不构成应力的控制量。

辨析之一在于控制量的选取。现场工程师常以壳温摆幅或冷板温度波动代替结温摆幅来设定试验条件，理由是壳温易于用热电偶直接测量。当器件热阻在试验中因芯片贴装层空洞扩展、焊层退化而上升时，同样的壳温摆幅对应的结温摆幅会逐次增大，壳温控制等于把退化带来的应力增幅排除在控制量之外，测得的循环寿命偏高且分散。反之，若以固定的散热器温度与