集成电路制造工艺微电子.ppt

编辑ppt*隔离技术PN结隔离场区隔离绝缘介质隔离沟槽隔离编辑ppt*第四章集成电路制造工艺编辑ppt*CMOS集成电路制造工艺编辑ppt*编辑ppt*形成N阱初始氧化淀积氮化硅层光刻1版,定义出N阱反应离子刻蚀氮化硅层N阱离子注入,注磷编辑ppt*形成P阱在N阱区生长厚氧化层,其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化去掉光刻胶及氮化硅层P阱离子注入,注硼编辑ppt*推阱退火驱入去掉N阱区的氧化层编辑ppt*形成场隔离区生长一层薄氧化层淀积一层氮化硅光刻场隔离区,非隔离区被光刻胶保护起来反应离子

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