1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 办公文档
  5. 产品手册

P沟道场效应晶体管NDS9430技术手册.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约9.59万字
  • 约 12页
  • 2026-11-09 发布于北京
  • 举报

P沟道场效应晶体管NDS9430技术手册.pdf

    1996年2月

    N

    NDS9430

    单P沟道增强型场效应晶体管

    通用描述特性

    这些P沟道增强模式功率场效应‑5.3A，‑20V。R=0.06@

    V=‑10V。

    DS(ON)GS

    晶体管采用国家专有的高单元

    度单元设计实现极低的R

    密度DMOS技术。该密度工艺

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >