CN119351996A 一种晶圆表面薄膜生长检查方法及化学气相沉积设备 （上海中欣晶圆半导体科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119351996A

(43)申请公布日2025.01.24

(21)申请号202411432801.5

(22)申请日2024.10.14

(71)申请人上海中欣晶圆半导体科技有限公司

地址201900上海市宝山区山连路181号

(72)发明人马爱王建华

(74)专利代理机构上海港慧专利代理事务所

(普通合伙)31402

专利代理师龚张迪

(51)Int.Cl.

C23C16/52(2006.01)

G01B21/08(2006.01)

G01N17/00(2006.01)

G01M13/00(2019.01)

G01F25/10(2022.01)