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N沟道PowerTrench MOSFET特性与应用.pdf

N沟道PowerTrench MOSFET特性与应用.pdf

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    FDP045N10A_F102

    /

    FDI045N10A_F102

    N沟道

    PowerTrench®

    MOSFET100

    V,

    164

    A,

    4.5

    mΩ

    特性

    •R导通电阻

    = 3.8mΩ(典型值)@V栅源电压

    = 10∨，I漏极电流

    = 100A

    •快速开关速度

    •低栅极电荷，QG

    = 54nC(典型值)

    •高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)

    •高功率和电流承载能力

    •符合RoHS

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