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半导体PCRAM存储原理考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.PCRAM的基本存储单元是由什么构成的？

A.MOSFET

B.浮栅晶体管

C.忆阻器

D.电容

2.PCRAM的读写操作是通过什么实现的？

A.电压

B.电流

C.频率

D.波长

3.PCRAM的存储状态通常分为几种？

A.2种

B.4种

C.8种

D.16种

4.PCRAM的写入操作通常需要多大的电压？

A.0.5V

B.1V

C.2V

D.5V

5.PCRAM的读取操作是否需要施加电压？

A.需要

B.不需要

6.PCRAM的存储密度相比传统存储器如何？

A.更低

B.相同

C.更高

D.无法比较

7.PCRAM