电子科技大学成都学院《集成电路工艺原理》2026——2027学年第一学期期末试卷（含答案）（仅供期末模拟使用）模拟卷.docxVIP

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电子科技大学成都学院《集成电路工艺原理》2026——2027学年第一学期期末试卷（含答案）

课程名称：__________学年学期：________________________

课程编号：__________开课学院：__________出题教师：__________

学生姓名：__________学号：__________任课教师：__________

学生学院：__________班级：__________

题号

一

二

三

四

五

六

七

八

总分

得分

阅卷人

一、单项选择题（本大题共20小题，每小题1分，共计20分。在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出。错选、多选、不选均不得分。）

1.集成电路制造过程中，下列哪种工艺主要用于形成导电通路？

A.光刻

B.沉积

C.刻蚀

D.化学气相沉积

2.在集成电路制造中，下列哪种材料常用于制作绝缘层？

A.氧化硅

B.氮化硅

C.氧化铝

D.硅

3.集成电路制造过程中，下列哪种工艺主要用于形成导电通路？

A.光刻

B.沉积

C.刻蚀

D.化学气相沉积

4.在集成电路制造中，下列哪种材料常用于制作绝缘层？

A.氧化硅

B.氮化硅

C.氧化铝

D.硅

5.集成电路制造过程中，下列哪种工艺主要用于形成导电通路？

A.