集成电路电子设计自动化工具 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）老化模型标准化发展研究报告.docx

集成电路电子设计自动化工具MOSFET老化模型标准化发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReportonMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor(MOSFET)AgingModelforIntegratedCircuitElectronicDesignAutomationTools

摘要

随着集成电路工艺节点持续向5nm及以下推进，器件老化效应（如热载流子注入、偏置温度不稳定性等）对电路可靠性的影响日益显著，MOSFET老化模型已成为电子设计自动化（EDA）工具中不可或缺的核心模块。然而，当前国内在该领域缺乏统一的技术标准，导致不同EDA工具间模型接口不兼容、仿真结果可比性差、设计迭代效率低等问题。本报告围绕全国集成电路标准化技术委员会归口管理的《集成电路电子设计自动化工具金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）老化模型》行业标准制定项目（计划编号：2026-0094T-SJ），系统阐述了该标准的制定背景、技术框架、主要内容及行业意义。该标准由北京大学牵头，联合中国电子技术标准化研究院、深圳海思半导体有限公司、北京华大九天科技股份有限公司、上海概伦电子股份有限公司等多家单位共同起草，旨在规范MOSFET老化模型的建模方法、参数