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半导体光刻技术

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CONTENTS

01

光刻技术概述

05

光刻技术挑战

02

光刻工艺流程

06

光刻技术的未来

03

光刻设备介绍

04

光刻材料与化学品

PARTONE

光刻技术概述

光刻技术定义

技术地位

半导体制造核心工艺,决定芯片集成度

技术原理

利用光化学反应,将掩模图形转移到基片上

01

02

发展历程

01

起源与早期

1958年平面集成电路问世,早期光刻技术采用可见光与接触式曝光。

02

技术突破期

20世纪70-80年代紫外光刻,90年代深紫外光刻,21世纪极紫外光刻。

03

现代与未来

浸没式光刻、多重图案化技术,以及High-NAEU

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