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离子阱量子计算中芯片级离子阱的微纳加工与激光直写光刻设备

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

本报告聚焦于离子阱量子计算产业链上游的核心设备市场，即用于制备芯片级离子阱的微纳加工设备，特别是紫外激光直写光刻设备与深反应离子刻蚀（DRIE）设备。芯片级离子阱是实现大规模量子计算的关键硬件，其金电极的加工精度直接决定了离子囚禁的势阱稳定性和量子门操控保真度，而3D陷阱结构的垂直度则关系到离子阵列的规模扩展与势阱深度。

调研覆盖了全球及中国市场的微纳加工设备供需现状。