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江苏电子信息职业学院
《嵌入式系统开发》2023-2024学年第一学期期末试卷
院(系)_______班级_______学号_______姓名_______
题号
一
二
三
四
总分
得分
批阅人
一、单选题(本大题共25个小题,每小题1分,共25分.在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的.)
1、对于集成电路设计,以下关于CMOS工艺的特点,哪一项描述是不正确的?()
A.CMOS工艺具有低功耗、高集成度和良好的噪声性能等优点
B.CMOS电路的静态功耗几乎为零,但动态功耗会随着工作频率的增加而显著增大
C.CMOS工艺中,NMOS管和PMOS管的阈值电压对电路性能影响较小,可以忽略不计
D.在CMOS工艺中,通过合理的版图设计可以减小寄生电容和电阻,提高电路性能
2、在电力电子技术中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种重要的功率器件。与传统的功率晶体管相比,IGBT具有哪些优点?()
A.开关速度快,导通压降小
B.开关速度慢,导通压降大
C.输入阻抗低,驱动功率大
D.输入阻抗高,驱动功率小
3、在无线局域网(WLAN)标准中,以下哪个标准支持更高的数据传输速率?()
A.IEEE802.11a
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