IEC 63229：2021 半导体器件.碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类（IEC63229:2021）标准立项发展报告

EnglishTitle

StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices-Classificationofdefectsingalliumnitrideepitaxialfilmonsiliconcarbidesubstrate

摘要

随着5G/6G通信、新能源汽车、光伏储能和高效电源对宽禁带半导体器件需求持续增长，碳化硅衬底上氮化镓（GaN-on-SiC）外延材料成为射频与功率器件的重要技术路线。外延膜缺陷直接影响器件击穿电压、导通电阻、频率特性与长期可靠性，亟需在国际范围内统一缺陷术语、分类原则和表述方法。IEC63229:2021《半导体器件碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类》于2021年4月7日发布，由国际电工委员会（IEC）制定，当前状态为现行。该标准围绕GaN-on-SiC外延膜缺陷的识别、命名与分类建立共同技术语言，为材料研发、衬底与外延制造、芯片设计、检测认证和供应链质量沟通提供依据。报告梳理其立项背景、主要技术内容、标准化价值与实施建议，认为该标准对降低产业链沟通成本、提升缺陷判定一致性和促进第三代半导体产业规范发展具有重要作用，并建议在应用中坚持以标准术语为基线，结合先