CN119446896A 低位错无裂纹的AlN薄膜及其外延生长方法 (广西大学).pdfVIP

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  • 2026-11-13 发布于重庆
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CN119446896A 低位错无裂纹的AlN薄膜及其外延生长方法 (广西大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119446896A

(43)申请公布日2025.02.14

(21)申请号202411427924.XC30B29/68(2006.01)

(22)申请日2024.10.14

(71)申请人广西大学

地址530004广西壮族自治区南宁市西乡

塘区大学东路100号

(72)发明人孙文红李耀泽

(74)专利代理机构南宁颂博远信知识产权代理

事务所(普通合伙)45141

专利代理师滕艺琼

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

H01L21/205(2006.01)

C30B29/40(2006.0

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