CN119495693A 一种光耦合器的制备方法、光耦合器及电子设备 (玻芯成(重庆)半导体科技有限公司).pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约2.46万字
  • 约 19页
  • 2026-11-13 发布于重庆
  • 举报

CN119495693A 一种光耦合器的制备方法、光耦合器及电子设备 (玻芯成(重庆)半导体科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119495693A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411557340.4

(22)申请日2024.11.04

(66)本国优先权数据

202411442109.0

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档