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CN119497474A 改善绝缘层破裂的发光二极管及其制备方法 （京东方华灿光电（浙江）有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-11-13 发布于重庆
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CN119497474A 改善绝缘层破裂的发光二极管及其制备方法 （京东方华灿光电（浙江）有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119497474A

    (43)申请公布日2025.02.21

    (21)申请号202411405185.4

    (22)申请日2024.10.10

    (71)申请人京东方华灿光电（浙江）有限公司

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