2025年集成电路低噪声放大器设计研究生入学考试考核试卷.docVIP

2025年集成电路低噪声放大器设计研究生入学考试考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.集成电路低噪声放大器设计中，通常选择哪种晶体管类型以获得最低噪声系数？

A.MOSFET

B.BJT

C.HEMT

D.CMOS

2.在低噪声放大器设计中，噪声系数（NF）的主要来源是什么？

A.输入匹配网络

B.有源器件

C.输出匹配网络

D.电源噪声

3.以下哪种方法可以用来提高低噪声放大器的输入匹配？

A.增加输入电阻

B.减少输入电容

C.使用变压器

D.以上都是

4.低噪声放大器的增益通常是多少？

A.10-20dB

B.20-30dB

C.30-40dB

D.40-50dB

5.在低