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半导体材料CVD技术考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.CVD技术的全称是？

A.化学气相沉积

B.物理气相沉积

C.化学物理沉积

D.气相化学沉积

2.CVD技术主要用于哪种材料的沉积？

A.金属

B.陶瓷

C.半导体

D.合金

3.在CVD过程中，反应气体通常需要加热到？

A.室温

B.100°C以下

C.100-500°C

D.500-1500°C

4.CVD技术的典型反应物是什么？

A.固体粉末

B.液体溶液

C.气体分子

D.高温等离子体

5.CVD技术中的反应压力通常在？

A.高真空

B.大气压

C.低压

D.高压

6.下列哪种材料不适合用CVD技术沉积？

A.硅