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芯片制造考试题及答案.docx

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    芯片制造考试题及答案

    一、单项选择题（每题2分，共20分）

    1.单晶硅晶圆制备中，量产应用最广泛的晶体生长方法是？

    A.区熔法（FZ）

    B.直拉法（CZ）

    C.分子束外延法（MBE）

    D.金属有机化学气相沉积法（MOCVD）

    2.硅热氧化工艺中，氧化层质量最高、适合制备栅氧化层的工艺类型是？

    A.干氧氧化

    B.湿氧氧化

    C.水汽氧化

    D.高压氧化

    3.光刻工艺中，用于将掩模版上的图形转移到光刻胶层的核心步骤是？

    A.涂胶

    B.曝光

    C.显影

    D.坚膜

    4.下列刻蚀技术中，各向异性特性最好、最适合先进节点小尺寸图形加工的是？

    A.湿法化学刻蚀

    B.等离

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