GBT《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)试验方法第3部分动态栅偏》.pdf

GBT《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)试验方法第3部分动态栅偏》.pdf

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX.3—20XX

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

(SiCMOSFET)试验方法第3部分:动态

栅偏

Testmethodforsiliconcarbidemetal-oxide-semiconductorfield-effect

transistor

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