GBT《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)试验方法第4部分高温反偏》.pdf

GBT《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)试验方法第4部分高温反偏》.pdf

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX.4—20XX

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

(SiCMOSFET)试验方法第4部分:高

温反偏

Testmethodforsiliconcarbidemetal-oxide-semiconductorfield-

effecttransistor(SiC

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