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GBT《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）试验方法第6部分动态反偏（DRB）》.pdf

GBT《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）试验方法第6部分动态反偏（DRB）》.pdf

    ICS31.080.01

    CCSL40

    中华人民共和国国家标准

    GB/TXXXXX.6—XXXX

    碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

    （SiCMOSFET）试验方法第6部分：动态

    反偏（DRB）

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