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CN119956491A 半导体异质结复合衬底及其制备方法 （北京怀柔实验室）.pdfVIP

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  • 2026-11-16 发布于重庆
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CN119956491A 半导体异质结复合衬底及其制备方法 （北京怀柔实验室）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119956491A

    (43)申请公布日2025.05.09

    (21)申请号202510416715.3

    (22)申请日2025.04.03

    (71)申请人北京怀柔实验室

    地址101400北京市怀柔区杨雁东一路8号

    院5号楼319室

    (72)发明人李哲洋李勇于乐金锐

    (74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限

    责任公司11240

    专利代理师霍文娟

    (51)Int.Cl.

    C30B29/36(2006.01)

    C30B23/02(2006.01)

    H10D62/832(2025.01)

    权利

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