奈米电子学简介.ppt

5. 奈米電子學簡介 在現今的微加工技術上，已能夠製造出尺寸很小的固體電子通道，可透過控制電壓操縱電子一個接一個地進行運動。 電導將呈現以 為臺階式的變化特徵。這種變化是由於單一電子進出通道所造成的，因此稱為單電子效應。 單電子效應最有希望的應用方向，是利用具有特導電子特徵的材料，如碳奈米管、碳60 (C60)、金屬或半導體量子點，製造出分子電子學中的單電子元件，以作為單電子電晶體、單電子開關、單電子線路和單電子邏輯器等用途。 因此產生了一門全新的學科—分子電子學。 5.1 量子導線 量子導線的研究，主要集中在各種碳奈米管上。這種較大尺寸分子的導電性已被廣泛的研究。 不同的碳奈米管可以構成各種非線性特徵的電子裝置，藉由特定的幾何參數可以決定碳奈米管所呈現的是導體還是半導體特性。 藉由不同的局部缺陷，例如五元環和六元環的存在，亦可以影響其電子性能。 5.1.1 單根單壁碳奈米管的導電性 低溫時，單壁碳奈米管兩端之間的電阻約為 1 M? ，不同電壓時的典型電流－電壓曲線表現出明顯的二極體整流效應：單向導通，且在較高偏壓時曲線呈現出高度非線性。 在不同的電極間施加電壓時，可以發現同一根碳奈米管在不同位置上的電子學行為並不相同。 5.1.2 單根多壁碳奈米管的導電性 單壁碳奈米管的電導值為2G0 ，與直徑和長度無關。 多壁碳奈米管的電導應該隨層數增加而增加；但是實驗中發現多壁碳奈米管之電導值也只有 1 G0，因為只有一層碳奈米管對所測量到的電導有貢獻。 導體性的多壁碳奈米管，其第一層必定是導電性的。如果第二層是絕緣的，此時沿管徑方向的電阻非常大，那麼此層和下面幾層對於導電性將不會產生貢獻。 5.1.3 特定碳奈米管的導電性 結合原子力顯微鏡的高分辨成像能力以及導電原子力針尖，可進行特定單根碳奈米管的導電性研究。 碳奈米管其直徑和螺旋特性決定了其導電性是導體還是半導體。 5.1.4 銅奈米導線 碳奈米管並不是構成分子導線的唯一選擇，其他方法也可以用於形成分子導線。 例如採用電化學生長的方法，將兩個金屬微粒用奈米尺寸的金屬銅導線加以連接。 圖三十、溶液中兩個銅微粒之間形成銅導線的電化學示意圖 5.2 奈米電子元件之雛形 5.2.1 單電子電晶體 電晶體是現代電子工業中的核心元件之一。 在單電子隧穿效應的基礎上可以形成單電子電晶體。 將直徑為 5.5 nm的砷化鎘半導體粒子分散在兩個金屬電極中央，在連續改變電極電壓的情況下，將會引起系統中能量的變化。 圖三十一 、測量單個奈米導電性的示意圖 5.2.2 單電子邏輯器 將單電子電晶體的邏輯和記憶元件，採用單個電子效應來取代，可稱為單電子邏輯器。 圖三十二 、單電子邏輯器的示意圖 5.2.3 碳奈米管整流器 利用類似掃描隧道顯微鏡的工作方式，可使單根碳奈米管成為一個奈米尺度的整流器。 其方法是將STM的針尖沿著碳奈米管簇的長度方向進行滑動，而有下列四種操作程序及碳奈米管在不同階段的取向： (a)隧穿 (b)接蝕與黏附 (c)撤出 (d)滑動接蝕 5.2.4 電子開關 碳奈米管將有可能製造出一種完全由碳組成的電子開關。它一端的行為像金屬，而另一端則像半導體，中間的接觸部分則類似節點，可以控制電子的流動。 圖三十四 、碳奈米管構成的電子開關結構示意圖 5.3 奈米電子學技術之限制 5.3.1 奈米電子學 奈米技術中最重要的一個分支領域是奈米電子學技術(nanoelectronics)。 電子學未來的發展，將以 “ 更小、更快、更冷 ” 為目標。只有在這三方面都得到同步的發展，電子學技術才能取得新的重大突破。 若要將奈米電子元件及其積體電路實現化，將有下列兩種可能的方式： 將現有的積體電路近一步向微型化延伸，開發出更小的最小線寬加工技術，以加工尺寸更小的電子元件。但是，這種方法只是尺度上的縮小，電子元件的構造並不發生根本上的改變。 另一種方式則是研製與現代積體電路完全不同、利用奈米結構的量子效應而構成的全新量子結構體系。 5.3.1 奈米電子學 Intel的創始人Gordon Moore在1965年曾對電腦晶片未來的發展趨勢做了一個重要的預測。 Moore 認為 “ 每隔18個月新晶片的電晶體容量要比先前的增加一倍，同時性能也會提昇一倍 ” 。這就是著名的莫爾定律 (Moore’s Low)。 可藉由縮小電晶體的尺寸和線寬的基本方法改進微影技術(Photolithography) ，也就是使用更短波長的曝光光源，經過曝光後把蝕刻在矽片上的電晶體做的更小、連接電晶體的導線做的更細來實現。 當對積體電路最小線寬的要求達到100 nm時，現行的微影技術將無能為力，而面臨失敗。 奈米電子學的發展極限