DCS销售经理常用技术常识.ppt

DCS销售经理常用的系统知识点 主控制器中的各种存储器的区别 Flash（固态盘）:写寿命10万次左右，保存组态文件。 SRAM（带电池）：保存实时数据的空间 DRAM(内存)：运行程序的空间 主控制器备用式冗余的三种方式 冷备用（Cold Backup） 温备用（Warm Backup） 热备用（Hot Backup） DCS的系统容量 机柜容量 电源容量 网络容量 主控容量 计算DCS系统容量时，必须同时满足上述限制条件 控制周期 什么是控制周期？ 单一控制周期与复合控制周期 最短控制周期由主芯片速度、程序量和通讯量以及应用程序效率决定。 主控制器负荷率（Load Rate） 负荷率定义 主控制器应用设计：工艺过程划分 引用误差 定义：满量程内的最大绝对误差除以满量程。 GB/T 13283-91 工业过程测量和控制用检测仪表和显示仪表精确度等级 AI的隔离:为何需要隔离 现场设备电气烧毁时不殃及DCS设备； 现场设备对DCS系统之间存在高压时不损坏DCS设备； 限制DCS局部故障或损坏的扩散化； 切断现场设备接地点对DCS系统接地点间因地电位差形成的地环电流，该地环电流导致AI设备输入端存在高共模电压，影响测量精度。 AI隔离的程度 路间隔离：每个信号通道之间电气隔离，并都控制网络隔离。 模块与模块间隔离：AI模块之间隔离，并都控制网络隔离，但同一模块内的各通道之间不隔离。 一列模块与另一列模块隔离：比方说这5个模块与那5个模块之间隔离，且所有模块都与控制网络隔离，但同一列的5个模块之间不隔离。 站与站之间隔离：两个主控制站（一般装在不同的机柜中）之间隔离，但站内设备之间不隔离。 现场输入与DCS系统隔离：所有现场设备之间不隔离，但都与控制网络隔离。 AI的隔离技术 隔离放大器隔离(在信号调理阶段隔离,传统的模拟仪表常用的方法) 变压器隔离型放大器 电容隔离型放大器(飞越电容或集成型放大器) 线性光耦隔离型放大器 数字光耦隔离(转化为数字量后隔离,数字式智能仪表常用的方法) 隔离电压：一般以交流有效值表示，如500Vrms. 过低的隔离电压将导致高压击穿。 共模和差模干扰信号 抑制比的含义 “一群坏人堵在大门口，有多少会混进去？” 1000个坏人堵在大门口，有1个人混进去，则抑制比=1000：1，用分贝表示就是20log1000=60dB（也就是说有千分之一混进去）；如果1000个坏人中有10人混进去，抑制比=1000：10，用分贝表示就是20log（1000/10）=40dB（也就是说有百分之一混进去）。 共模抑制比或差模抑制比的含义与上述比喻类似，只是“坏人”的定义不一样而已。 AO设备的技术指标 精度、分辨率、稳定度、温漂（参见AI） 带负载能力：在确保最大能输出20mA的条件下，AO的最大电阻负载。对于以24VDC为驱动电源的AO，其理论最大负载24/0.02=1200欧姆。 一般要求AO的带负载能力达到750?（一般的负载电阻为250?）。 建立时间：DA转换从数字指令下发到AO输出值达到预计的精度范围的响应时间。 AO带负载能力的测量 先将AO的输出值设置到20mA对应的数字量，然后将输出接到可调电阻器上，并串联电流表，不断增加电阻值，当电流开始随电阻的增大逐渐小于20mA时，该负载电阻即为AO的带负载能力。 DI的触点型式 机械开关（干接点） 电子开关 电平接点 DI的查询电压 24VDC 48VDC 220VAC 220VDC SOE(Sequence of Event)：带时标的DI SOE：DI with time-stamp，主要用于事故分析。 SOE处理的基本原理:主控制器负责分钟以上时间，SOE模块负责分钟以下时间60000ms 对时的基本原理:由同一个时钟源对其操作站、主控制器和SOE模块的时间. GPS作为标准时钟源。 开关量输出（DO：Digital Output) 继电器输出型DO DO：输出开关的类型 机械继电器（SPST，SPDT，DPST，DPDT）：Normal Opened，Normal Closed 固态继电器(Solid State Relay—SSR)，是Photo-Darlinton, PhotoMOS, Thyristor, TRIAC等类型开关的统称。 晶闸管（Thyrister，原来称为可控硅Sillicon Controlled Rectifier—SCR），适用控制直流负载。 双向可控硅(TRIAC：Tri-electrode AC switch)，适用于控制交流负载。 电源冗余：均流冗余 所有电源平均承担负荷 冗余结构相当于“热”冗余 可以构成1:1, N:1,N:M(M<N)冗余 体积较小，单个电源成本较高。 如果不是1