第1章_光电技术基础下.pptVIP

第二部分 光电器件物理基础 半导体的能带理论 导体绝缘体半导体能带区别 半导体的类型 热平衡载流子 PN结及其形成过程 2.半导体对光的吸收 1.6 光电效应 光电效应分类 1.6.1 内光电效应 弱辐射作用 强辐射的作用 2.光生伏特效应 PN结的光生伏特效应 3. 丹倍（Dember）效应 4.光磁电效应 5. 光子牵引效应 1.6.2 光电发射效应 光电发射的基本定律 探测器件共同特性 光电器件基本特性参数 1、积分灵敏度R 2、光谱灵敏度 P λ 3、频率灵敏度Rf 其它参数 习题 光电二极管一般工作在反向偏置的情况下，则输出的电流为 I=IΦ+ID 光电二极管的暗电流ID一般要远远小于光电流IΦ，因此，常将其忽略。光电二极管的电流与入射辐射成线性关系 如图，当半导体材料的一部分被遮蔽，另一部分被光照射时，在曝光区产生本征吸收情况下，将产生高密度的电子与空穴载流子，而遮蔽区的载流子浓度很低，形成浓度差。又电子与空穴相比具有较大 由于光不均匀照射半导体表面产生电位差的现象称为光电扩散效应或丹倍效应 。 的迁移率和扩散系数，因此电子会扩散到半导体的更深处。在短期内导致被光照表面带正电，另一面带负电，建立起光生电场。即在照射表面和未照射表面间产生一定电位差。 放在磁场内的均匀半导体材料受到光照射时，如果磁场的方向垂直于xoy平面，洛伦兹力把扩散电子和空穴偏转到相反方向，导致电子和空在垂直于光照方向和磁场方向的半导体的两端面分别积累，产生光磁电场，对应的电动势被称为光磁电电动势。 光与电子的作用既满足能量守恒定律又满足动量守恒定律。 当光子与半导体中的自由载流子作用时，光子把动量传递给自由载流子，自由载流子将顺着光线的传播方向做相对于晶格的运动。结果，在开路的情况下，半导体样品将产生电场，它阻止载流子的运动。这个现象被称为光子牵引效应。 这种光电效应，迎光面为正，出光面为负。 + - CO2激光器 通过测量光生电压来得到CO2激光器功率 当物质中的电子吸收足够高的光子能量，电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子，这种现象称为光电发射效应或称为外光电效应。 外光电效应公式： 光子的能量大于光电发射材料的光电发射阈值Eth电子就可能逸出材料表面 式中动能是电子逸出的最大初动能。光电发射阈值Eth的又称逸出功。对于不同的材料不同，计算方法也不同。 电子亲合势 真空能级 P型半导体 N型半导体 金属 光电发射长波限为 电离能 （1）爱因斯坦定律（光电发射第二定律） 发射体发射的光电子的最大动能，随入射光频率的增加而线性的增加，而与入射光的强度无关。 （2）斯托列托夫定律（光电发射第一定律） 当入射辐射的光谱分布不变时，入射辐射通量越大（携带的光子数越多），激发电子逸出光电发射体表面的数量也越多，因而发射的光电流就增加，所以光电流正比于入射辐射通量。 （1）光电效应的有、无只与入射光的波长、频率有关，与入射光的强度无关； ——光电效应的产生，唯一的取决于入射光的波长、频率以及器件的能级结构。 （2）光电效应的强弱既与入射光的强度有关，也与入射光的波长、频率有关。 ——入射光的强弱反映入射光子数的多少；入射光的波长、频率不同，器件对其的响应度不同。 光电系统的光电器件包括光电探测器件和光电成像器件，其相应的性能参数也有两类： 1、光电探测器件主要应说明其响应特性和噪声特性。 2、光电成像器件，除了上述参数外，为了说明其成像特性，还引入了反映亮度空间分布失真程度的量，比如分辨率、空间频率特性以及空间抽样特性等。 灵敏度也常称作响应度，它是光电探测器光电转换特性，光电转换的光谱特性以及频率特性的量度。 光电流i(或光电压u)和入射光功率P之间的关系i＝f (p)，称为探测器的光电特性。 (安/瓦)——积分电流灵敏度 (安/瓦)——积分电压灵敏度 或 灵敏度R定义为这个曲线的斜率，即 如果我们把光功率P换成波长可变的光功率谱密度P λ，由于光电探测器的光谱选择性，在其它条件下不变的情况下，光电流将是光波长的函数，记为iλ(或uλ)，于是光谱灵敏度Rλ定义为 如果R λ是常数，则相应的探测器称为无选择性探测器(如光热探测器)，光子探测器则是选择性探测器。 上式的定义在测量上是困难的，通常给出的是相对光谱灵敏度S λ定义为 通常 如果入射光是强度调制的，在其它条件不变下，光电流if将随调制频率f的升高而下降，这时的灵敏度称为频率灵敏度Rf， 定义为 式中τ称为探测器的响应时间或时间常数，由材料、结构和外电路决定。 式中if是光电流时变函数的付里叶变换， 频率