- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第3章 二极管及其基本电路 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体 (硅和锗)的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 基本概念练习: 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.3 二极管的参数 ☆3.4 二极管基本电路及其分析方法 例5(略) 例6 (略) 例7(略) 例8(略) 3.5 特殊二极管 例1 例2 半导体器件命名方法 课堂练习题1 课堂练习题2 本章作业 + 18V - + 2V - + 2.5V - + 12.5V - + 14V - + 1V - 导通 2.5.1 稳压二极管 IZmax + - 稳压二极管符号 U I UZ IZ 稳压二极管特性曲线 IZmin 当稳压二极管工作在 反向击穿状态下,当工 作电流IZ在Izmax和 Izmin 之间时,其两端电压近 似为常数。 稳定电流 正向同二极管 稳定电压 (4)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 (5)最大允许功耗 稳压二极管的参数: (1)稳定电压 UZ (2)电压温度系数?U(%/℃) 稳压值受温度变化影响的的系数。 (3)动态电阻 IR IZ Io 稳压管的稳压过程。 VI Vo IZ VR Vo ∴VO能够稳定 (1)稳压管电路如图所示,U Z1=12V,UZ2= 6V,则电压UO等于?(2)当U S=10V, UO 等于? Us (1) UO= 12-6 = 6V (2)Uo=(10-6) ×R/(R1+R) R ⑴用于光电信号转换,⑵构成光伏电源。 I U 照度增加 符号 2. 发光二极管: 有正向电流流过时,发出一定波长范围的光,目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光,它的电特性与一般二极管类似,正向电压较一般二极管高,电流为几 ~ 几十mA 光电二极管 发光二极管 1. 光电二极管:反向电流随光照强度的增加而上升。 3.5.3 光电子器件 ⑴用于光电信号转换,⑵显示器件。 物体导电性能分类: 导体、半导体和绝缘体 导体:自然界中很容易导电的物质称为导体,金属一般都是导体。 绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 3.1 半导体的基本知识 半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有不同于其它物质的特点。例如: (可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。 掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。 光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强 共价键共 用电子对 (束缚电子) +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。 1) 载流子:(自由电子和空穴) 完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为 本征半导体。 本征半导体性能: 在T=0K时,基本没有导电粒子(即电荷载流子,简称载流子),基本不导电。 在常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子,同时共价键上留下一个空位,称为空穴。(本征激发) +4 +4 +4 +4 空穴 束缚电子 自由电子 本征激发 在一定的温度条件下,本征半导体的束缚电子获得能量变为自由电子。 2) 本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 * 空穴吸引附近的电子来填补, 相当于空穴的迁移,可以认为空穴是载流子。空穴带正电核,空穴子移动形成电流。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即自由电子和空穴。 * 电子带负电核,电子移动形成电流(和电流规定的方向相反)。 * 温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强 本征半导体导电能力很弱,且随环境温度而变化。 在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也称为(空穴型半导体)。 N 型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体,也称为(电子型半导体)。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半
文档评论(0)