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VLSI设计基础 第5章 单元库设计技术 （2010-2010） 规则阵列的优缺点 优点：不需要完整的制造工艺，只需少数几层mask，成本低，设计周期短 →适合小批量生产 缺点：性能差、集成密度低（ROM点阵的稀疏性） 单元库设计技术 是当今VLSI设计的主要技术之一，借助这个设计技术可以获得性能优越的VLSIC。 单元库是“专家系统”，是由经过精心设计和优化的电路单元模块组成。为我们提供了性能优越的“高级”设计平台。 本章概要： 单元库概念 标准单元设计技术 积木块设计技术 回顾： 2.4.2 大尺寸MOSFET的版图设计 可控硅效应（闩锁效应 latch up）——寄生三级管 标准CMOS工艺的器件结构隐含着一个pnpn闩锁夹层，形成正回馈回路 Latch－Up发生的条件是正反馈环路的环路增益大于1，并且存在某种原因使得至少有一个双极型晶体管进入正向有源工作区。 防范措施：版图上做保护环来减小衬底和阱寄生阻抗的大小。 ESD保护的基本原理 ESD防护的基本思想是：让ESD通过一个低阻抗并联通道进行放电并同时将ESD电压钳制在某一个足够低的电平，避免硅/金属互连线烧毁或者栅氧化层击穿。 正向偏置的二极管或者反向偏置的二极管都可以作为ESD防护器件。 同相输出I/O PAD 同相输出实际上就是“倒相+倒相”，或采用类似于图5.7所示的偶数级的倒相器链。 三态输出I/O PAD .2 5.2 标准单元设计技术 输入、输出单元（I/O PAD） .2 .2 .2 .2 .2 .2 .2 开漏输出单元 .2 5.2 标准单元设计技术 输入、输出单元（I/O PAD） VLSI设计基础-5 东南大学电子科学与工程学院 VLSI设计基础-5 东南大学电子科学与工程学院 VLSI设计基础-5 东南大学电子科学与工程学院 单元库技术所面对的是具有一定逻辑操作和运算功能的部件，它可能是一个逻辑门或是一个功能块，甚至是一个功能相对完整的子系统。 .1 5.1 单元库概念门阵列的缺点 (W/L)p=5, (W/L)n=1, 最坏情况下的上升时间与下降时间的比为：1 : 3 （假设电子/空穴迁移率比值=2.5） （W/L）=1/3 （W/L）=5/2 .1 5.1 单元库概念门阵列的缺点 单元库设计技术的目标：全局和局部都被优化。 全局优化是由设计系统对逻辑单元进行布局和布线优化迭代完成，生成符合某些目标函数要求的设计结果。局部优化则是通过对基本逻辑单元精心设计完成，两者的结合才能得到满意的设计结果。 5.1 单元库概念 .1 5.2 标准单元设计技术 标准单元描述 标准单元设计技术，是指采用经过精心设计的逻辑单元版图，按芯片的功能要求排列而成集成电路的设计技术。 标准单元具有下列特征: 具有相同的高度，可以具有不同的宽度; 单元的电源线和地线通单元的上下端，从单元的左右两侧同时出线，电源、地线在两侧的位置相同，线的宽度一致; 单元的输入/输出端安排在单元的上下两边，要求至少有一个信号端可以在单元的上边和下边两个方向同时引出，各引出线的位置及间隔以某个数值单位进行量化。 .2 示例: .2 .4 共用掺杂区：源共用、漏共用、源漏共用 .2 5.2 标准单元设计技术 标准单元描述 .2 5.2 标准单元设计技术 一些示例: .2 5.2 标准单元设计技术 一些示例: AND-OR=AND-NOR-NOT AND-NOR .2 5.2 标准单元设计技术 一些示例: 由于标准单元的整体结构采用“行式结构”，单元拼接以后，单元行的电源和地线自动连在一起。 因此，整体结构的电源、地线布线仅仅是对单元行外部进行。 根据具体的逻辑，将相应的标准单元从单元库中调出，排列成行，根据相邻两行的需要，决定布线通道的宽度，进行布线和I/O单元的连接，即可完成具体集成电路的设计。 .2 5.2 标准单元设计技术 .2 5.2 标准单元设计技术 .2 单元行: 对于每一个标准单元，在单元库中有相应的三个部分描述：单元逻辑符号，单元拓扑，单元版图。 逻辑符号描述是一个图形符号，它代表一个逻辑。 单元拓扑是对单元的外部尺寸和出线位置的描述。 单元版图由人工设计，标准单元的版图和工艺选择、工艺水平关系很大。一套标准单元库只能对应一条工艺线。 .2 5.2 标准单元设计技术 标准单元