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作 业 思考题：P45 2.3.1～2.3.3 * 2.3 半导体二极管 2.3.1 半导体二极管的结构 2.3.2 二极管的伏安特性 2.3.3 二极管的参数 实物图片 2.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 PN结面积大，用于工 频大电流整流电路。 2.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 1、正向特性 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右 当0＜VD＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当VD＞0时，即处于正向特性区域。 正向区又分为两段： 当VD＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 D D D D 2、反向特性 当VD＜0时，即处于反向特性区域。 反向区也分两个区域： 当VBR＜VD＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流称反向饱和电流IS 。但反向电流随温度上升而急剧增长。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向饱和电流很小；锗二极管的反向饱和电流较大。 D D D 3、反向击穿特性 当VD≤VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑。 D D D 注：VD＜0 ，VBR也为负值。 伏安特性 ID VD 死区电压: 硅管0.5V,锗管0.1V。 导通压降: 硅管0.7V,锗管0.3V。 反向击穿电压VBR 0 反向饱和电流IS 2.3.3 二极管的参数 1. 最大整流电流IF 2. 反向击穿电压VBR和最高反向工作电压VRM 3. 反向电流IR 4. 正向压降VF 5. 极间电容 二极管长期使用时，允许通过二极管的最大正向平均电流。 二极管的两极之间有电容效应，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 允许加在二极管上的反向电压最大值，约为VBR的一半。 二极管的极间电容 (1) 势垒电容CB 势垒电容示意图 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。 当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。 (1) 势垒电容CB 当外加正向电压V↑时，势垒电容“充电”，耗尽层厚度δ↓，势垒电容CB↑。 当外加电压V↓（变负）时，势垒电容“放电”，耗尽层厚度δ↑，势垒电容CB ↓ 。 二极管的极间电容 高频时CB影响大 (2) 扩散电容CD 扩散电容示意图 扩散电容是由多子（P区空穴和N区电子）的相互扩散中，在PN结的另一侧面积累而形成的。 当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当于电容的充放电过程。 电压升高，积累在交界面处的电子和空穴的数目增加，故CD增大；反之亦然。 二极管的极间电容 扩散电容CD 势垒电容CB 结电容C PN结的高频等效电路： r c 二极管的极间电容 r — 结电阻 半导体二极管的型号命名法 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： end 半导体二极管实物图片