第三章溅射镀膜.pptVIP

* 七．反应溅射? 　利用溅射技术制备介质薄膜除可采用射频溅射 法外，另一种方法是采用反应溅射法。即在溅射镀 膜时，引入某些活性反应气体，来改变或控制淀积 特性。可获得不同靶材的新物质薄膜。例如在O2 中溅射反应而获得氧化物，在N2或NH3中获得氮化物，在O2＋N2混合气体中得到氮氧化合物，在C2H2或CH4中得到碳化物，在硅烷中得到硅化物和在HF或CF4中得到氟化物等。 　反应物之间产生反应的必要条件是：反应物分子必须有足够高的能量以克服分子间的势垒。势垒 和能量之间的关系为： * * 　　　　　　　　　　　　　　　（3－31） 　式中，　为反应活化能，　是阿佛加德罗常数。 根据过渡态模型理论，两种反应物的分子进行反应 时，首先经过过渡态—活化络合物，然后再生成反 应物，如图3－45所示。图中　 和 分别为正、 逆向反应活化能；　为反应物初始态能量,W为终态能量；　为活化络合物能量；△E是反应物与生成物能量之差。 　如前所述，蒸发粒子的平均能量只有0.1－0.2ev,而溅射粒子可达10－20ev，比蒸发高二个数量级左右。蒸发和溅射粒子的能量分布如图3－46所示。 * * * * * * 八．离子束溅射 又称离子束沉积，它是在离子束技术基础上发展起来的新的成膜技术。按用于薄膜淀积的离子束功能不同，可分为两类：一次离子束沉积，这时离子束由需要淀积的薄膜组分材料的离子组成，离子能量较低，它们在到达基片后就淀积成膜，又称低能离子束淀积。另一类为二次离子束淀积，离子束系由惰性气体或反应气体 的离子组成，离子的能量较高，它们打 到由需要淀积的材料组成的靶上，引起 靶原子溅射，再淀积到基片上形成薄膜。 因此，又称离子束溅射。 * * * * 　离子束溅射淀积原理如图3－49所示，由大口 径离子束发生源（1＃离子源）引出惰性气体离 子（Ar+、Xe+等），使其照射在靶上产生溅射作用，利用溅射出的粒子淀积在基片上制得薄膜。在大多数情况下，淀积过程中还要采用第二个离子源 （2＃离子源）使其发出的第二个离子束对形成的薄膜进行照射，以便在更广范围控制淀积膜的性质。上述第二种方法又称双离子束溅射法。 　通常，第一个离子源多用考夫曼源，第二个离子源可用考夫漫源或自交叉场型离子源等。 缺点： 　离子束溅射，简称IBS是一种新的制膜技术，和等离子溅射镀膜相比，装置较复杂，成膜速率低。 * * 　　优点： （1）在10-3Pa的高真空下，在非等离子状态下成膜，淀 积的薄膜很少掺有气体杂质，所以纯度较高； （2）淀积发生在无场区域，基片不再是电路的一部分， 不会由于快速电子轰击使基片引起过热，所以基片的温升低； （3）可以对制膜条件进行独立的严格的控制，重复性 较好； （4）适用于制备多成分膜的多层膜； （5）许多材料都可以用离子束溅射，其中包括各种粉末、介质材料、金属材料和化合物等。特别是对于饱和蒸气压低的金属和化合物以及高熔点物质的淀积等，用IBS比较适合。 * * 　 离子束溅射技术中所用离子源可以是单源、双源和多源。虽然这种镀膜技术所涉及到和现象比较复杂，但是，通过合适地选择靶及离子的能量、种类等，可以比较容易地制取各种不同的金属、氧化物、氮化物及其它化合物等薄膜。特别适合制作多组元金属氧化物薄膜。 目前这一技术已在磁性材料、超导材料以及其它电子材料的薄膜制备方面得到应用。 此外，由于离子束的方向性强，离子流的能量和通量较易控制，所以也可用于研究溅射过程特性，如高能离子的轰击效应、单晶体的溅射角分布以及离子注入和辐射损伤等。 * * The End * * （1）溅射率随入射离子的能量增加而增大；而在离子能量 增加到一定程度时，由于离子注入效应，溅射率将随 之减小；(图3-10、3-11) （2）溅射率的大小与入射粒子的质量有关；(图 3-12) （3）当入射离子的能量低于某一临界值（阈值）时，不会 发生溅射； (图3-11) （4）溅射原子的能量比蒸发原子的大许多倍；(图3-16) （5）入射原子的能量低时，溅射原子角度分布就不完全符 合于余弦分布规律。角分布还与入射离子方向有关。 从单晶靶溅射出来的原子趋向于集中在晶体密度最大 的方向。 (图3-22、3-23、3-24) （6）因为电子的质量小，所以，即使用具有极高能量的电 子轰击靶材时，也不会产生溅射现象。　 * * 解释溅射现象的两种较为成熟的理论： 1．热蒸发理论 早期认为：溅射现象是被电离气体的荷能正离子，在电场的加速下轰击靶表面，而将能量传递给碰撞处的原子，结果导致表面碰撞处很小区域内，发生瞬间强烈的局部高温，从