半导体物理第六章.docVIP

第六章 1．什么是pn结，画出pn结接触前后的能带图。 解：从原理上说，pn结就是一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。达到平衡状态的pn结能带图具有统一的费米能及， 2．简述pn结中的非平衡载流子的电注入。 解：pn结加正向偏压时，势垒降低，增大了进入p区的电子流和进入n区的空穴流。这种由于外加正向偏压的作用，试非平衡载流子进入半导体的过程称为非平衡载流子的电注入。 5．简述pn结的势垒电容Cb。 解：势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使pn结上压降发生变化时，耗尽层的厚度也相应的随之改变，这相当pn结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电（变容二极管）。 6．简述pn结的扩散电容Cd。 解：扩散电容是由多子扩散后，在pn结的另一侧面积累而形成的。pn结正偏时，由n区扩散到p区的电子（非平衡少子），与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。扩散过来的电子流就堆积在p区内紧靠在pn结的附近，到远离交界面，形成一定的浓度梯度分布曲线。电压增大，正向（扩散）电流增大。当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以pn结两侧堆积的电子的浓度梯度分布也不同，，这就相当电容的充放电过程。 7．简述pn结的雪崩击穿。 解：pn结的反向电流是由少数载流子的运动产生的。当外加反向电压加大时，内电场增强，使载流子加速。这些加速载流子，在与阻挡层中中性原则相碰时，会有足够的能量破坏原子的共价健，产生新的电子-空穴对。这些新的电子-空穴对又从电场获得足够大能量与原子碰撞，继续产生另外的电子-空穴对。这个过程像雪崩一样，使电流迅速增大，所以称为雪崩击穿或雪崩效应。 10．定性说明n型阻挡层的整流作用。 解：在不加电压的情况下半导体表面和内部的电势差为这时势垒高度为，加正压（金属一边为正）后，势垒高度为，因为加正压后势垒高度降低，从半导体到金属的电子流增大，而电子从金属到半导体的流密度不变。这样就形成从金属到半导体的电流，电压越大电流越大；加反向电压（金属一边为负）后，势垒高度为。势垒高度增加，从半导体到金属的电子流减小，而电子从金属到半导体的流密度不变，这就形成从半导体到金属的电流，并且当反向电压达到一定值时，从半导体到金属到的电流可以忽略，这时只剩下从金属到半导体的电子流，从而电流达到饱和。 1.平衡pn结有什么特点，画出势垒区中载流子漂移运动和扩散运动的方向。 2.定性地画出正向偏置时pn结能带图；在图上标出准费米能级的位置，并与平衡时pn结能带图进行比较。 3.写出pn结整流方程,并说明方程中每一项的物理意义，对于较大的正向偏置和反向偏置，这个方程分别说明什么样的物理过程。 正向偏压, V0, 正向电流密度随正向偏压指数增大。 反向电流密度为常数，不随偏压改变 4.反向电流由哪几部分构成的？在一般情况下什么是主要的？为什么反向电流和温度关系很大？ 5.解释硅pn结的反向电流随反向电压增加而增大的原因。 6.为什么pn结的接触电位差不能通过万用表跨接在二极管两端的方法进行测量。 7.当pn结n型区的电导率远远大于p型区的电导率时，pn结电流主要是空穴流还是电子流？ 8.说明pn结理想模型的基本假设, 在推导pn结电流–电压关系时,这些基本假设体现在哪些地方？ ①小注入---即注入少数载流子浓度比平衡多数载流子浓度小得多； ②突变耗尽层---即外加电压和接触电势差都落在耗尽层上，耗尽层中 的电荷是由电离施主和电离受主的电荷组成，耗尽层外的半导体是 电中性的。因此,注入的少数载流子在p区和n区是纯扩散运动; ③通过耗尽层的电子和空穴电流为常量 ---耗尽层中没有载流子的产生 及复合作用; ④玻耳兹曼边界条件---即在耗尽层两端,载流子分布满足玻耳兹曼统 计分布. 9. 分别画出正向、反向偏置pn结n侧少数载流子的浓度与到pn结距离之间的函数关系曲线，指出过剩载流子浓度何处为正、何处为负？ 10. 对于非理想pn情况应做如何修正(着重从物理角度予以说明)。 测量结果与理论值存在差异的主要原因： ①势垒区中载流子的产生与复合对电流影响； ②大的注入条件 ③表面复合 ④串联电阻效应 （二）偏置PN结及其I-V特性 正偏：p 区对于n 区加正电压。此时两侧的电势差要低于热平衡时的值。 反偏：PN 结的n 区相对于p 区加正电压，从而使p 区与n 区之间势垒的大小超过热平衡状态。 载流子注入：外加偏压时，PN 结内载流子穿过空间电荷区进入p 区或n 区的过程。 空间电荷区复合产生电流：当存在高的陷阱复合中心时，少子将不再无变化地通过耗尽区。正向偏置为复合电流，反 向偏置时为产生电流。对PN 结总电流贡献是在理想电流基础上电流叠加。 复合电流：穿越空间电