RF放大器设计(台湾中华大学)6.pdfVIP

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Session6 DC Bias of Active Devices Considerations of DC Bias Network Good DC bias design: (a) Select the proper quiescent (Q) point. (b) Stabilize Q point over variations in transistor parameters and temperature. (c) At lower frequency of out-band, DC bias can be designed to stabilize the transistor and prevent from oscillation. (d) Don’t degrade the performance of power gain and noise figure. 中華大學電機系田慶誠 2 DC-IV Curve Measurement IVCURVEI ID=IV1 GBJT VSWEEP_start= 0 V ID=GP_BFP420_1 VSWEEP_stop= 5 V VSWEEP_step= 0.1 V 2 C ISTEP_start= 0 mA ISTEP_stop= 0.2 mA 1 4 ISTEP_step= 0.02 mA S B Swp Step 3 E BFP420: Nonlinear Gummel-Poon Model 中華大學電機系田慶誠 3 DC-IV Curves of Transistor BFP420 BFP420 DC-IV Curve 20 Ic (mA) 15 10 5 0 0 1 2 3 4 5 Voltage (V) 中華大學電機系田慶誠 4 Quiescent (Q) Points BJT: Ic II FET: I DS III I IV BJT: VCE

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