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3.4 双极晶体管的直流电流电压方程 本节以缓变基区 NPN 管为例，先给出在发射结和集电结上均外加任意电压时晶体管的电流电压方程。电流的参考方向和电压的参考极性如下图所示。 E B C IE IB IC VCE VBE VBC N N+ P + + + - - - 3.4.3 晶体管的直流电流电压方程 共基极直流电流电压方程（ “埃伯斯－莫尔方程 ” ）为： (3-59b) (3-59a) IES 代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独的发射结构成的 PN 结二极管的反向饱和电流。 ICS 代表集电结反偏、发射结零偏时的集电极电流，相当于单独的集电结构成的 PN 结二极管的反向饱和电流。 αR 代表倒向管的共基极电流放大系数，通常比α小得多。 共发射极直流电流电压方程为： 正向管与倒向管之间存在一个 互易关系，即： （3-60） 3.4.4 晶体管的输出特性 共基极输出特性：以输入端的 IE 作参变量，输出端的 IC 与 VBC 之间的关系。 由共基极直流电流电压方程 E B C IE IC VBC N N+ P + - B 消去 VBE ，得： 当 VBC = 0 时， 在放大区，VBC 0 ，且当 时， ICBO 代表发射极开路 ( IE = 0 )、集电结反偏 ( VBC 0 ) 时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。 式中， 共基极输出特性曲线 共发射极输出特性：以输入端的 IB 为参变量，输出端的 IC 与 VCE 之间的关系。 由共发射极直流电流电压方程 E C B P N IB IC N E VCE 式中， 或 消去 VBE ，得： 当 VBC = 0，或 VBE = VCE 时， 在放大区，VBC 0 ，或 VBE VCE ， ICEO 代表基极开路 ( IB = 0 ) 、集电结反偏 ( VBC 0 ) 时从发射极穿透到集电极的电流，称为共发射极反向截止电流，或共发射极穿透电流。　 共发射极输出特性曲线 图中，虚线表示 放大区与饱和区的分界线。虚线右侧为放大区，虚线左侧为饱和区。 3.4.5 基区宽度调变效应 在共发射极放大区，理论上 ，即 IC 与 VCE 无关。但在实际的晶体管中，IC 随 VCE 的增大会略有增大。 原因：当 VCE 增大时，集电结反偏 (VBC = VBE –VCE ) 增大，集电结耗尽区增宽，使中性基区的宽度变窄， 基区少子浓度分布的梯度 增大，从而使 IC 增大。这种现象称为 基区宽度调变效应，也称为 厄尔利效应。 WB WB WB WB x N N P 0 0 nB(x) 式中， 称为 厄尔利电压。 ，称为 共发射极增量输出电阻。 xdB 为集电结耗尽区进入基区中的部分，即 xp 。 VA 的几何意义 为减小厄尔利效应，应增大基区宽度 WB ， 减小集电结耗尽区在基区内的宽度 xdB ，即增大基区掺杂浓度 NB 。