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半导体器件物理习题 第二章 热平衡时的能带和载流子浓度 1. (a)硅中两最邻近原子的距离是多少？ 解答: (a) 硅的晶体结构是金刚石晶格结构，这种结构也属于面心立方晶体家族，而且可被视为两个相互套构的面心立方副晶格，此两个副晶格偏移的距离为立方体体对角线的1/4（a /4的长度） (b)计算硅中（100），（110），（111）三平面 上每平方厘米的原子数。 (1) 从(100)面上看，每个单胞侧面上有 个原子 所以，每平方厘米的原子数= (2) 从(110)面上看，每个面上有 个原子 所以，每平方厘米中的原子数= 2. 假如我们将金刚石晶格中的原子投影到底部，原子的高度并以晶格常数为单位表示，如下图所示。找出图中三原子（X, Y, Z）的高度。  解：此正方形内部诸原子可视为是由一个顶点及其 所在 三个邻面的面心原子沿体对角线平移1/4 长度后，向底面投影所得。 因此，x的高度为3/4 y的高度为1/4 z的高度为3/4 6. (a)计算砷化镓的密度（砷化镓的晶格常数为5.65 ?，且砷及镓的原子量分别为69.72及74.92克/摩尔）。 砷化镓为闪锌矿晶体结构 (b)一砷化镓样品掺杂锡。假如锡替代了晶格中镓 的位置，那么锡是施主还是受主? 为什么? 此 半导体是n型还是p型? 答：因为镓为III族元素，最外层有3个电子；锡为IV族元素，最外层有4个电子，所以锡替换镓后作为施主提供电子，此时电子为多子，所以该半导体为n型。 12. 求出在300K时一非简并n型半导体导带中电 子的动能。 解：在能量为dE范围内单位体积的电子数 N(E)F(E)dE, 而导带中每个电子的动能为E-Ec 所以导带中单位体积电子总动能为 导带中电子平均动能： 14. 一半导体的本征温度为当本征载流子浓度等于杂质浓度时的温度。找出掺杂1015 磷原子/立方厘米的硅样品的本征温度。 解：根据题意有 16. 画出在77K，300K，及600K时掺杂1016 砷原子/立方厘米的硅的简化能带图。标示出费米能级且使用本征费米能级作为参考能量。 (1) 低温情况（77K） 由于低温时，热能不足以电离施主杂质，大部分电子仍留在施主能级，从而使费米能级很接近施主能级，并且在施主能级之上。（此时，本征载流子浓度远小于施主浓度） (2) 常温情况（T=300K） EC -EF = kT ln(n/ni)= 0.0259ln(ND/ni) = 0.205 eV (3) 高温情况（T=600K） 根据图2.22可看出ni =3X1015 cm-3，已接近施主浓度 EF -Ei = kT ln(n/ni) = 0.0518ln(ND/ni) = 0.0518ln3.3=0.06eV 20. 对一掺杂1016 cm-3磷施主原子，且施主能级ED= 0.045 eV的n型硅样品而言，找出在77K时中性施主浓度对电离施主浓度的比例；此时费米能级低于导带底部0.0459eV（电离施主的表示式可见问题19）。 2. 假定在T = 300 K，硅晶中的电子迁移率为?n = 1300 cm2/V·s，再假定迁移率主要受限于晶格散射，求在(a) T = 200 K，及(b) T = 400 K时的电子迁移率。 有同学根据T = 300 K， ?n = 1300 cm2/V·s，查表3-2，得ND=1016cm-3，再进行查图2.2得?n ----不好 其实可以利用?L与T-3/2 的比例关系（书49页）。理论分析显示晶格散射所造成的迁移率?L 将随 T-3/2 的方式减少。由杂质散射所造成的迁移率?I 理论上可视为随着 T3/2/NT 而变化，其中NT为总杂质浓度2。 解： (?n : T-3/2 ) = (?a : Ta-3/2 ) 4. 对于以下每一个杂质浓度，求在300 K时硅晶样品的电子及空穴浓度、迁移率及电阻率：(a) 5?1015硼原子/cm3 (a)300K时，杂质几乎完全电离: 注意：双对数坐标！ 注意：如何查图？NT？ (