《大直径直拉硅单晶生长过程有限元模拟及控制参数优化》开题报告.pptVIP

大直径直拉硅单晶生长过程有限元模拟及控制参数优化 姓 名： 指导老师： 主要内容 1、课题的背景及意义 硅单晶是制造集成电路和光能转换产品的基础材料，是信息产业和太阳能产业发展的基石。我国硅单晶制造业发展迅速，仅仅用了八年时间，我国硅单晶产量就从2002年的不足世界总产量的0.4%发展为现在的硅单晶重要出口国。 1、课题的背景及意义 但是，我国生产的直拉硅单晶直径小，缺陷尺寸大且分布不均匀，无法与国际的三高（高纯度、高完整性、高均匀性）一大（大直径）的发展趋势同步。  1、课题的背景及意义 提拉法单晶生长是一个复杂的流动与传热过程。晶体生长处于高温环境，在熔体中存在自然对流、自由液面表面张力流动、晶体与坩埚产生强迫对流等各种驱动机制引发的混合流动。 1、课题的背景及意义 1、课题的背景及意义 单晶在相变界面长出，其裂纹、夹杂等现象与熔体-晶体界面形状密切相关。晶体生长相变界面属于运动边界问题；同时，伴随着结晶潜热的释放。跟踪相变界面及其内在规律以合理地释放潜热，对改善生长条件来提高单晶质量也有重要意义。 1、课题的背景及意义 单晶生长炉内包括了坩埚、晶体、熔体、加热系统等，各部分之间的热辐射、热传导和对流，以及结晶潜热和表面张力等因素都是相互耦合的。综合考虑这些因素，建立有效的全局数值模拟模型，可为