细晶WCu材料导电性能的研究.pdfVIP

414 2009全国粉末冶金学术会议 细晶W—Cu材料导电性能的研究 朱松范景莲 刘涛 田家敏 (中南大学粉末冶金国家重点实验室，长沙，410083) 成工字型拉伸样。研究粉末成分、烧结温度、保温时间对电导率的影响。研究结果表明w一10Cu、w一20Cu在1420℃ 率达到最大，W一10Cu达到19MS／m，W一20Cu达到25MS／m，W一30Cu达到30MS／m，分别超过国标22．6％、35． 1％、22．4％，具有良好的导电性。 关键词超细W—Cu合金；电导率；致密化；微观组织 1 引言 w—cu合金兼有钨的高熔点、低膨胀系数、抗熔焊性、抗电蚀性，同时又具有铜的高塑性、良好 的导电和导热等特性。目前主要用于制备电触头、电阻焊、电火花加工、等离子电极【l。3J，以及计算 机中央处理系统、大规模集成电路的引线框架，固态微波管等电子器件的热沉基片”。7J。采用一般w —cu粉末直接高温烧结制备的w—Cu合金密度较低、成分均匀性差，性能不能满足使用要求。目前 制备钨铜合金常用的方法是熔渗法，这种方法制备的钨铜合金虽然密度和性能均有所提高，但由于合 金中铜相粗大、分布不太均匀，钨颗粒容易聚集长大，造成制备出的w—Cu合金组织不均匀哺-1引。有 报道采用机械合金化制备的细晶w—Cu合金晶粒细小，组织分布均匀[11-12]，但机械合金化容易引入 杂质Fe，对合金性能有所影响。本论文采用喷雾干燥一氢还原制备的细晶W—Cu粉末为原料制备不 同成分的w—Cu合金，研究烧结工艺对电导率的影响，并观察其显微组织。 2实验材料及方法 的偏钨酸铵和硝酸铜结晶体，将其溶于去离子水中配置混合溶液并加入一定的表面活性剂，控制溶液 沉淀得到透明溶胶体；将溶胶体喷雾干燥得到含钨、铜元素的前驱体粉末；粉末前驱体在300—4500C nm的w— 下煅烧得到钨铜氧化物；然后将钨铜氧化物粉末在H：气氛下还原，制备出晶粒度大约为50 Cu粉末。粉末压制成形后，在不同温度、不同时间下烧结。使用精密天平测量样品密度，在7501A型 涡流电导仪上测量样品的电导率，并在金相显微镜下观察钨铜合金的组织形貌。 3实验结果与讨论 3．1烧结工艺对W—Cu合金致密度的影响 图1为W—cu合金在不同温度下烧结1．5h时相对密度与烧结温度的关系。图2为w—Cu合金 在1420t2时相对密度与保温时间的关系。由图中可以看出三种成分钨铜合金的相对密度随烧结温度 的升高呈先上升后下降的趋势；1420。C烧结时，随保温时间增加相对密度先上升后下降。W一30Cu在 五、难熔金属及合金 415 达到了99．1％。 譬＼扫—昌等o}口三星 t≥差蛋。p竽髻一0H 图1 相对密度与烧结温度的关系 图2 14加℃相对密度与烧结温度的关系 在Cu熔点上烧结时，熔融的cu可以较容易地填充孔隙，但受液相Cu流动性能限制，气体没完 全逸出的时候可能就变成封闭的孔隙，残留在烧结体内，致密度不能达到理想状态。从烧结理论分 析，随烧结温度提高，Cu对w的润湿性明显增加(烧结温度超过1350℃，液态Cu对W颗粒的润湿角 降到00)可以迅速在w颗粒表面铺展开来，在毛细管力的作用下，颗粒重排快速进行，并且Cu黏流性 降低，两相的分布会进行的相对充分，气体逸出较完全，因而随温度升高烧结体密度先上升；随温度 升高到1460℃时，w—cu合金的相对密度均有一定程度的降低，主要是由于随温度升高，液相cu的 流动性非常好，在进行体积扩散、迁移的同时，由于重力的因素，在烧结坯表面渗出，此时烧结坯上方 会有部分cu流失，固相的w颗粒之间残留的孔隙由于温度升高其中气体发生膨胀，从而造成烧结体 密度降低。w一30Cu最早达到致密化主要是由于其形成的液相多，降低了w颗粒之间的接触程度， 也即减少了致密化过程中颗粒重排的阻力，因而在相对较低的烧结温度下得到了高致密的烧结体。 14200C烧结时，随保温时间延长，材料的重排进行的越充分因而相对密度变大，但时间过长时，孔隙 有所增加且内