电子电工技术5考试复习.ppt

* 1 半导体材料的导电特性及导电机制 一 半导体器件基础 本征半导体（两种载流子） 杂质半导体 N型（多子、少子） P型（多子、少子） 2 PN结的形成和电特性 单向导电性 反向击穿 电容效应 3 二极管 3种等效模型（理想二极管、恒压源模型、折线化模型） 应用 （限幅（削波）、整流、箝位） 伏安特性及参数 4 三极管 ① 结构特点（三个区两个结 三个电极bce） ② 基本类型（NPN/PNP） ③ 电流放大作用及工作条件（NPN：UCUBUE） ④三个工作区域及条件(饱和区、截止区、放大区 工作条件 、特点？) 5 场效应管 ① 结构特点（金属、氧化物、半导体 MOS FET三个电极gds ） ② 基本类型（N沟道（增强型、耗尽型)、P沟道 （增强型、耗尽型) 、） ③三个工作区域及条件(可变电阻区、恒流区、夹断区) 可变电阻区 UGSU GS(th) UDSUGS-UGS(th) 恒流区 UGSU GS(th) UDSUGS-U GS(th) 截止区UGSU GS(th) 一、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. ISeU/UT C. IS( eU/UT -1) （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 第5章 自 测 题 向压降可忽略不计，试分别画出输出电压uo的波形。 5-1在如图所示的两个电路中，已知 二极管的正 a b a b 5-2 在如图所示的两个电路中，已知 二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压uo的波形 。 a b a b c c 5-3 在图中，试求下列情况下输出端F的电位VF ,二极管的正向压降可忽略不计。 （1） （2） （3） （a） （b） 0 0 +3 +3 0 0 +3 +3 5-5现有两个稳压管DZ1和DZ2。稳定电压分别是4.5V和9.5V，正向压降都是0.5V，试求图中各电路中的输出电压uo *