模拟集成电路设计3.pptVIP

27 §3-4: MOS管的小信号模型 2.均方噪声电流 28 第3章第5节 3.5 计算机仿真模型 ● 计算机仿真需要更为精确的模型 ● SPICE 仿真器提供 “模型库” ● 建模小组向电路设计组提供模型 ● 第三方设计由晶圆制造厂提供模型 29 §3-5: 计算机仿真模型 小的几何尺寸引起的二阶效应 P75 一、SPICE LEVEL3 模型 1.漏级电流 主要应用于0.8um及其以上工艺. 2.阈值电压 3.饱和电压 4.有效迁移率: 5.沟道长度调制 30 §3-5: 计算机仿真模型 二、BSIM3v3 模型 更精确的模型; 主要用于几何尺寸低于0.8um以下的工艺; 成为工业届标准的MOS模型。 32 §3-5: 计算机仿真模型 四、几种模型跨导特性比较 33 第3章第6节 3.6 亚阈值电压区MOS模型 （特点：适合于亚阈区，即弱反型区） 34 §3-6:压阈值电压区MOS模型 亚阈值电压区MOS模型 （基于LEVEL3 模型） P79 平方律 指数律 34 §3-6:压阈值电压区MOS模型 亚阈值电压区MOS模型 （基于LEVEL3 模型） （LEVEL3 模型） （简化模型，适合手工计算） 平方律 指数律 P79 35 第3章第7节 3.7 MOS电路的SPICE模拟 36 §3-7: MOS电路的SPICE模拟 一、SPICE 模拟文件的一般格式 ● 标题 ● 电路描述 (器件描述和模型描述) ● 分析类型描述 ● 输出描述 ● .EDN 二、MOS器件描述 M 数字 漏 珊 源 体 模型名…… 例如： （a) （b) 多个器件的表示， 从匹配角度看更好。 37 §3-7: MOS电路的SPICE模拟 三、MOS模型描述 .MODEL 模型名 模型类型 模型参数 例如： .MODEL NCH NMOS LEVEL=1 VT0=1 KP=50U GAMMA=0.5 +LAMBDA=0.01 四、分析实例 1.例3.6-1 用SPICE 仿真MOS输出特性 38 §3-7: MOS电路的SPICE模拟 2.例3.6-2 直流分析 39 §3-7: MOS电路的SPICE模拟 3.例3.6-3交流分析 接负载电容 40 §3-7: MOS电路的SPICE模拟 4.例3.6-4瞬态分析 接负载电容 分段电源 41 §3-8: 小结 小 结 ● 模拟集成电路设计的模型原则: 使用简单模型设计、精密模型验证 ● 模型有几个部分 大信号静态(直流变量) 小信号静态(中频增益,电阻) 小信号动态(频率响应,噪声) 大信号动态(转化率) ● 此外模型还可以包括: 温度 噪声 工艺变化(蒙特卡罗方法) ● 计算机模型 必须是有效的数值 尽快来自新技术 ● 模拟设计的技巧 尽可能远离最小沟道长度 大的rds 大的增益 较好的协议 不使用计算机模型设计，而是设计的验证。 41 §3-8: 小结 作业 P89页习题 3.1-5，3.3-1，3.3-5 * 1 第3章 提纲： 3.1 MOS结构及工作特性 3.2 简单的MOS大信号模型 3.3 其他MOS管大信号模型的参数 3.4 MOS管的小信号模型 3.5 计算机仿真模型 3.6 亚阈值电压区MOS模型 3.7 MOS电路的SPICE模拟 3.8 小结 第3章 CMOS器件模型 2 第3章第1节 3.1 MOS结构及工作特性 3 一、MOS结构 §3-1: MOS结构及工作特性 4 二、EMOSFET沟道的形成 §3-1: MOS结构及工作特性 5 1. 当VDS=0.1V时， NEMOSFET 的转移特性 §3-1: MOS结构及工作特性 当vGS≦vT, iD =0; 当vGSvT, vGS↑→ iD↑。 三、NEMOSFET 的特性 沟道夹断 沟道开启 沟道开启 6 2. 当VGS=2 VT时，NEMOSFET 的输出特性 §3-1: MOS结构及工作特性 当0vDSvT, vDS↑→iD↑。 预夹断前 预夹断 7 3.当VDS=2 VT 时，NEMOSFET 的输出特性 §3-1: MOS结构及工作特性 当vGSvT, vGS↑→ iD↑; 当vDSvGS - vT , vDS↑→iD基本不变。 当0vDSvGS - vT , vDS↑→ iD