大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究.pdfVIP

第55卷第11期2006年11月 物 理学 报 1000．329012006／55(11)／6095—06AC’I’APHYSICASINICA ⑥2006 Chin．Phys．Soc． 大尺寸化学Ni源金属诱导晶化 多晶硅的研究* 赵淑云1’ 吴春亚1’ 刘召军1’ 李学冬1’ 王 中1’ 孟志国1’ 熊绍珍1’ 张 芳2’ 1)(南开大学光电子所，天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室， 教育部光电子信息科学与技术重点实验室，天津300071) 2)(科技部高技术研究发展中心，北京100044) (2005年12月14目收到；2006年4月25日收到修改稿) 用无电电镀的化学方法，在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源，在550。C下退火若干小时， 可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒．用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面．非晶硅薄膜上形 成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量．当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现 象．用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物，晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90tzm，用此多晶硅试制的 唧，获得了良好的器件特性． 关键词：金属诱导晶化，化学源，多晶硅，薄膜晶体管 PACC：7360，7360F，7360L，7360P 率快(可超过lnm／s)，而且氢含量少，比用射频等离 1．引 言 右，因此易于去氢． 采用化学法制备金属诱导晶化多晶硅的Ni源， 与物理气相沉积(PVD)获得Ni源相比，无需抽真 2．试验内容 空、省却操作时间与真空设备的投资，因此具有速度 快、操作简便而且成本低廉等优点¨o．Chao等人心1 以无电电镀获得镍源诱导晶化多晶硅研制的TFT， 100nm的非晶硅薄膜，然后把非晶硅样品采用不同 其迁移率达到了41．9cm2／V·S．他们同期用PVD金 属诱导晶化制备的多晶硅TFT迁移率可与之相当， 变不同的化学镀的时间获得诱导用的Ni源，然后在 达到44．0cm2／V·S．因此可以得出结论：无电电镀金4500C下去氢3h，随后在550℃下进行退火直到非晶 o． 属诱导晶化是一种简便、有效的晶化方法b 硅薄膜完全晶化，采用物理检测进行晶化与否的佐 人们前期的研究，多注重于晶化过程，而对作为 证，如用XRD来表征晶化以后多晶硅薄膜的结构性 晶化前驱物的非晶硅，多选用LPCVD的制备方法，质．我们力图用高倍光学显微镜观察样品表面形貌 它们的沉积温度较高，与当前通用显示器所选用的 以及晶化效果，以简化检测方法和节约费用．本实验 设备相容性有些许问题．而对获得晶化的前驱物 用OLYMPUSSTM6．LM．F31光学显微镜来观测在不 ——非晶硅，却极少有人予以关注¨。．因此本文专门 同晶化时段内晶粒生长的过程．我们还把部分样品 针对以甚高频等离子化学气相沉积(VHF—PECVD) 法沉积的非晶硅作为晶化的前驱物，研究如何用化 对具有不同晶向的多晶硅的各个晶面，具有各向异 学Ni源的金属诱导的晶化方法，去增大晶粒尺寸的 性的腐蚀速率，而Secco则可以腐蚀出晶界，从而可 问题．我们采用VHF．PECVD的原因，是它的沉积速以观察到晶粒的大小)，以便清晰地观察晶粒的 号：05YFJM．…)1400)及国家出国留学人员回国基金资助的课题． 万方数据 物 理 学 报 55卷 形貌