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元器件STRESS测试方法所谓元器件STRESS是指检查待测组件在特定的工作条件下各参数与其规格比较,还有多少余量(Derating), 元器件STRESS包括四部份: 温度STRESS,电压STRESS,电流STRESS,功率STRESS,下面分别进行讨论.温度STRESS1. 定义:温度STRESS=结温度(junction temperature, Tj)是半导体内部接合面处的温度,但是我们所量测到的温度都是零件表面(CASE)的温度(Tc), 传统的做法是通过零件规格中给出的热阻θ进行近似的计算得出结温度Tj:或或Tj: 计算所得到的结温度.Ta: 零件周围的环境温度(零件周围的具体位置在零件规格中有规定?)Tc: 所测量到的零件表面的温度.零件引脚的温度环境到结点的热阻.零件表面到结点的热阻实际损耗功率的计算方法: A. 二极管: (可从规格中查到, I是实际测量值)注意: 整流桥之B. MOSFET: 附录A2. 需检查之零件电阻: 大于等于2W的高压功率电阻,热敏电阻晶体管: 除SMD以外之所有晶体管二极管: 塑封二极管以及额定电流大于等于1A的其它二极管半导体闸流管: 所有半导体闸流管电容: 所有电解电容IC: 所有IC电感: 所有电感3. 测试条件:输入电压: 高压/低压负载条件: 全重载(包括+5VH,+12VH,+3.3VH)和standby mode ( standby max load)环境温度: 25℃/50℃4. 点温注意事项:遵循原则: 背风面, 靠近热源, 紧贴所点位置.制作点温线接合点端不能有绞线现象, 且长度最好控制在5mm以内.各种零件所点位置:IC: 点在本体或引脚上(若点在引脚上需进行绝缘)变压器: 取掉胶布, 点在最外层线圈上直接点在线圈上, 若能接触到铁芯, 最好与铁芯及线圈同时接触.电容: 直接点在电容顶部或本体中点(点在中点时需将电容外皮去掉)电阻: 电阻靠近PWB且没有打KINK时,点在靠近PWB处之本体上,有打KINK就直接点在本体中点上.具体如图所示:5. Derating零件类型Derating Factor零件类型Derating Factor绕线电阻,功率电阻,VRPWB-10℃晶闸管,SCR, TRIACS90%热敏电阻最高温度-30℃(若量测温度大于PWB最高温度时,需考虑PWB之温度)电解电容90%贴片电阻90%IC90%二极管90%电感,铁芯90%晶体管90%MOSFET90%电压 STRESS定义:电压STRESS=2. 需检查之零件电阻: 大于等于2W的高压功率电阻,热敏电阻晶体管: 除SMD以外之所有晶体管半导体闸流管: 所有半导体闸流管二极管: 塑封二极管以及额定电流大于等于1A的其它二极管电容: 所有电解电容MOSFET: 所有３. 测试条件:输入电压: 高压输出负载: 重载/轻载环境温度: 25℃工作状态:稳定状态和瞬间状态瞬间状态包括以下几点: A:重复开关机(AC ON/OFF)B:某组输出短路后.,再重复开关机(应对每一组输出都分别短路,然后找出最差的状况)C:开机后,重复短路某一组输出(应对每一组输出都分别短路,然后找出最差的状况)４.数据测量方式:componentAC on/offO/P short then on/offAC on the O/P shortNormal operationO/P short VrmsSemiconductorMAXMAXMAXMAX*CAPNANAMAXMAXNAResistorNANANARMSRMS总的来说,测量电压时除了电阻是测量其电压之RMS值以外,其它都是测量其电压之MAX值.在测试过程中应将MIN值同时显示出来,在MAX与MIN值中取绝对值最大的一个.注意:在量测瞬间状态波形时,必须将触发电平调到可触发范围内的最高点.否则,结果会相差很大.如附录C所示.5.各零件之电压量测点MOSFET: 漏极-源极三极管: 集电极-发射极二极管: 反向电压或(A to K正向电压)注意:测量电压时.,示波器探棒黑色夹子必须夹地.不能夹在低电位但不是地的位置,那样可能会引起无输出或者大电流烧坏示波器探棒.若待测点都不是地,那必须用两信道相减.6.Derating零件类别Derating Factor稳定状态瞬间状态电阻90%90%二极管(schottky除外)90%95%Schottky Diode90%100%晶体管90%95%MOSFET90%100%晶闸管,SCR,TRIACS (关断状态)90%90%电容(bulk电容,钽电容除外)90%90%bulk电容,X电容100%钽电容80%IC90%95%7. Avalanche当MOSFET之电压超过规格值时,要对测量结果进一步计算,当其A