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半导体存储器 7.1 概述 7.2 只读存储器（ROM） 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 *7.6 串行存储器 7.1概述 分类： 只读存储器ROM（Read-Only Memory） 随机存储器RAM（Random Access Memory） 特点： ROM：只读，非易失性 ?程序存储器 RAM：可读可写，易失性 ?数据存储器 存储器的容量：字数×字长 例如：256×4 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数” 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 7.3随机存取存储器（RAM） 随机存取存储器也称随机存储器或随机读/写存储器，简称RAM。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。 根据存储单元的工作原理不同， RAM分为静态RAM（SRAM ）和动态RAM（DRAM ）。 随机存储器RAM 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理 RAM的结构 RAM主要由地址译码器、 存储矩阵和输入/输出控制 三部分组成。 存储矩阵由许多存储单元排列组成，每个存储单元能存放一位二值信息(0或1)，在译码器和读/写电路的控制下，进行读/写操作。 地址译码器一般都分成行地址译码器和列地址译码器两部分，使这些被选中的单元与读/写电路和I/O(输入/输出端)接通，以便对这些单元进行读/写操作。 CS称为片选信号，当CS=0时，RAM工作，CS=1时，所有I/O端均为高阻状态，不能对RAM进行读/写操作。 读/写控制电路用于对电路的工作状态进行控制。称为读/写控制信号。 R/W=1 时，执行读操作，将存储单元中的信息送到I/O端上；当R/W=0时，执行写操作，加到I/O端上的数据被写入存储单元中。 二、SRAM的存储单元 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 第七章 半导体存储器 7.1 概述 7.2 只读存储器（ROM） 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 *7.6 串行存储器 1. RAM的结构 RAM主要由地址译码器、存储矩阵和输入/输出控制三部分组成， 其基本结构如图 所示。 7.3随机存取存储器（RAM） 随机存取存储器也称随机存储器或随机读/写存储器，简称RAM。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。 根据存储单元的工作原理不同， RAM分为静态RAM（SRAM ）和动态RAM（DRAM ）。 存储矩阵由许多存储单元排列组成，每个存储单元能存放一位二值信息(0或1)，在译码器和读/写电路的控制下，进行读/写操作。 地址译码器一般都分成行地址译码器和列地址译码器两部分，使这些被选中的单元与读/写电路和I/O(输入/输出端)接通，以便对这些单元进行读/写操作。 CS称为片选信号，当CS=0时，RAM工作，CS=1时，所有I/O端均为高阻状态，不能对RAM进行读/写操作。 读/写控制电路用于对电路的工作状态进行控制。称为读/写控制信号。 R/W=1 时，执行读操作，将存储单元中的信息送到I/O端上；当R/W=0时，执行写操作，加到I/O端上的数据被写入存储单元中。 图是用字扩展方式将四片256×7 位的RAM扩展为1024×7 位RAM的系统框图。图中，译码器的输入是系统的高位地址A9、A7，其输出是各片RAM的片选信号。四片RAM轮流工作，任何时候，只有一片RAM处于工作状态，整个系统字数扩大了四倍，而字长仍为八位。 THANK YOU！ 本章到此结束， 谢谢您的光临！ 7.4 存储器容量的扩展 1. 位数(字长)的扩展 位扩展可以利用芯片的并联方式实现，图是用八片 1024×1 位的RAM扩展为1024×7 位RAM的存储系统框图。 图中八片RAM的所有地址线、R/W、CS分别对应并接在一起， 而每一片的I/O端作为整个RAM的I/O端的一位。 数据线的扩展 RAM的位扩展连接法 2. 字数的扩展 字数的扩展可以利用外加译码器控制芯片的片选(CS)输入端来实现。 地址线的扩展 用“多余”的地址线控制 六管N沟道增强型MOS管 7.4 存储器容量的