半导体PN结二极管培训课件.pptVIP

（1）在势垒区旁，n区边缘的空穴，被势垒区强大电场扫向p区。边缘空穴缺少，N区内部空穴扩散过来，这些空来源于热激发。 为了维持电流连续性，电子向电极运动 （2）P区侧同理 （1）隧道：掺杂↗ 势垒宽度↘ 隧穿几率↗ 雪崩：掺杂↘平均自由程↗从电场获得的能量↗ （2）雪崩：势垒宽度↗碰撞倍增次数↗ 微电子器件基础 第 2 章 PN 结二极管 第 2 章 PN 结二极管 2.1 直流特性 2.2 频率特性和开关特性 2.3 PN结的电击穿 2.1 直流特性 2.1.1 非平衡PN结 处于一定偏置状态下的PN结称为非平衡PN结。 当P区接电源的正极，N区接电源的负极，称为正向PN结。反之，则称反向PN结。 2.1 直流特性 2.1.2、正向PN结 （1）少子注入 正向电压使 势垒区宽度变窄、 势垒高度变低 外加电场与内建电场方向相反 ? 空间电荷区中的电场减弱 ? 破坏扩散与漂移运动间的平衡 扩散运动强于漂移运动 ? 注入少子 ? 注入的少子边扩散边复合 2.1 直流特性 （2）正向PN结中载流子的运动 电流在 N 型区中主要由电子携带 电流在 P 型区中主要由空穴携带 通过 PN 结的电流存在电流载体转换的现象 P区 N区 jn jp Ln Lp 2.1 直流特性 2.1.3 反向PN结 （1）反向PN结的少子抽取 反向电压使 势垒区宽度变宽 势垒高度变高 外加电场与内建电场方向相同 增强空间电荷区中的电场 破坏扩散漂移运动平衡 漂移运动强于扩散运动 抽取少子 Ln Lp 2.1 直流特性 (2)反向PN结中载流子的运动 P区 N区 jp jn Ln Lp 2.1 直流特性 2.1.4 V-I 特性方程 一、理想PN结模型 （1）小注入。即注入的非平衡少数载流子浓度远低于平衡多子浓度,即掺杂浓度。 （2）外加电压全部降落在势垒区，势垒区以外为电中性区。 （3）忽略势垒区载流子的产生-复合作用。通过势垒区的电流密度不变。 （4）忽略半导体表面对电流的影响。 （5）只考虑一维情况。 2.1 直流特性 二.坐标 以xn、xp为坐标原点分别建立坐标系。 步骤： 求解“非少子”的扩散方程 →求“非少子”浓度的边界值 →求“非少子”浓度梯度 →分别求电子、空穴的扩散电流密度 →求PN结电流 2.1 直流特性 2.1 直流特性 2.1 直流特性 2.1 直流特性 肖克莱方程 2.1 直流特性 单边结近似 对于P+N结 NAND 对于N+P结 NDNA 2.1 直流特性 2.1.5 V-I特性方程的讨论 （1） （2） （3）小电流下，正向电流比理论值大；要考虑势垒复合电流的影响。 （4）大电流下，正向电流比理论值小，势垒区以外存在大注入自建电场。 （5）反向电流比理论值大；要考虑表面漏电流及势垒产生电流JG的影响。 （6）当T升高时，JF增大，JR增大。 2.1 直流特性 2.1.6 大注入 1.大注入定义：正偏工作，注入载流子密度等于或大于平衡多子的工作状态。 2. 大注入效应： 内建电场，加速 电导调制效应 2.2 频率特性和开关特性 基本概念 频率特性 大信号工作 小信号工作 2.2 频率特性和开关特性 PN结大信号工作特点： ID-VA特性，CD-VA特性以及CT-VA特性都是非线性的 PN结小信号工作特点： 信号电流与信号电压之间满足线性变化关系 2.2 频率特性和开关特性 小信号等效电路 2.3 PN结的电击穿 2.3.1 PN结击穿的含义 PN结反向电压超过某一数值时，反向电流急剧增加的现象称为“PN结击穿”，这时的电压称为击穿电压（VR） VR I V 2.3 PN结的电击穿 2.3.2 产生击穿的机构 产生击穿的机制 热效应 隧道效应 雪崩效应 2.3 PN结的电击穿 一、雪崩击穿 PN结加大的反向偏压 ? 载流子从电场获得能量 ? 载流子与晶格碰撞? 能量足够大时价带电子被激发到导带产生一对电子－空穴? 新形成的电子、空穴被电场加速，碰撞出新的电子、空穴 ? 载流子倍增 硅 PN 结发生雪崩击穿的电场强度为 105～106 V / cm 非破坏性可逆击穿 2.3 PN结的电击穿 二、隧道击穿 反向偏压升高 ? P区价