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微电子器件基础 第四章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 引言 所谓“MOS”指的仅是金属－二氧化硅（SiO2）－硅系统。更一般的术语是金属－绝缘体－半导体（MIS），其中的绝缘体不一定是二氧化硅，半导体也并非一定是硅。由于MIS系统有着类似的基本物理概念，在这一章里我们将始终讨论MOS系统。 MOSFET的基本结构 4.1 双端MOS结构 MOSFET 的核心是金属－氧化物－半导体电容， 其中的金属可以是铝或者一些其它的金属，但更通常的情况是在氧化物上面淀积高电导率的多晶硅；然而，金属一词通常被延用下来。 能带图 外加负栅压的MOS电容器的电场和电流 能带图 施加小的正偏栅压后的MOS电容器 能带图 p型衬底MOS电容器的能带图 能带图 n型衬底MOS电容器的能带图 耗尽层厚度 耗尽层厚度 耗尽层厚度 上图示意了?s 2?fp时的能带图。表面处的费米能级远在本征费米能级之上而半导体内的费米能级则在本征费米能级之下。表面处的电子浓度等于体内的空穴浓度,这种情况称为阈值反型点,所加的电压称为阈值电压。如果栅压大于这个阈值，导带会轻微地向费米能级弯曲，但是表面处导带的变化只是栅压的函数。然而，表面电子浓度是表面势的指数函数。表面势每增加数伏特（kT/e），将使电子浓度以10的幂次方增加，但是空间电荷宽度的改变却是微弱的。在这种情况下，空间电荷区已经达到了最大值。 功函数差 功函数差 如果我们把金属一侧的费米能级与半导体一侧的费米能级相加，可以得到： 上式还可以写成 其中： 它称为金属－半导体功函数差。 功函数差 掺杂多晶硅经常淀积在金属栅上，图a显示了具有n＋多晶硅栅和p型衬底的MOS电容的能带图。图b是p＋多晶硅栅和p型衬底的情况时的能带图。在掺杂多晶硅中，我们假设n＋的情况时EF＝Ec，而p＋的情况时EF＝Ev。 平带电压 平带电压 在前面讨论中，我们已经隐含地假定了在氧化物中的净电荷密度为零。这种假设也许不成立――通常为正值的净的固定电荷密度可能存在于绝缘体之中，这些正电荷与氧化物－半导体界面处破裂或虚悬的共价键有关。在SiO2的热形成过程中，氧气穿过氧化物进行扩散并且在Si－SiO2 界面处反应生成SiO2，硅原子也可以脱离硅而优先形成SiO2。当氧化过程结束后，过剩的硅原子会存在于界面附近的栅氧化层中，从而导致存在虚悬的共价键。通常，氧化电荷的多少大约是氧化条件的函数，诸如氧化环境和温度等。可以通过在氩气或氮气环境中对氧化物进行退火来改变这种电荷密度。 阈值电压 阈值电压 强反型时的电荷分布 QG：金属栅上的面电荷密度 QOX：栅绝缘层中的面电荷密度 Qn ：反型层中电子电荷面密度 QB ：半导体表面耗尽层中空间电荷面密度 阈值电压 理想状态MOSFET的阈值电压 阈值电压 阈值电压 理想状态MOSFET的阈值电压 阈值电压 理想状态MOSFET的阈值电压 阈值电压 理想状态MOSFET的阈值电压 阈值电压 实际MOSFET的阈值电压 （1）实际MOS结构的特点 阈值电压 阈值电压 （3）非平衡下之VT VDS 0 阈值电压 阈值电压 （4） 衬偏电压VBS≠0 阈值电压 影响阈值电压的因素 （1）栅电容Cox （2）接触电势 （3）衬底杂质浓度的影响 （4）氧化层电荷密度的影响 阈值电压 影响阈值电压的因素 （1）栅电容Cox 选用较大介电系数的材料作栅介质膜 减小氧化层厚度 阈值电压 （2）接触电势 尽量使得Vms 0 用硅栅工艺（用多晶硅作栅极） 阈值电压 （3）衬底杂质浓度的影响 费米势： 耗尽层电荷： Vms 阈值电压 （4）氧化层电荷密度的影响 阈值电压 PMOS： VTp始终小于0，为EMOS 欲PMOS成为DPMOS，可预制一层P型预反型层或利用Al2O3膜的负电荷效应，制作Al2O3/SiO2复合栅 电荷分布 栅氧化层界面处的反型层电子浓度（p型衬底）为ns ni2/Na exp ?s/Vt 。硅在T＝300K时的杂质掺杂浓度为Na＝1×1016cm－3，在阈值反型点的表面势为?s 2?p 0.695V。如我们先前讨论的那样，栅氧化层界面处的电子浓度为Ns＝1×1016cm－3，下图所示为表面处电子浓度随着表面势的增加而增大的曲线。如前所述，表面势的很小改变就可以使电子浓度迅速增加，从而使空间电荷