基于金属-半导体-金属亚波长孔阵列的太赫兹滤波器和调制器.docVIP

  基于金属-半导体-金属亚波长孔阵列的太赫 兹滤波器和调制器# 范飞，姜子伟，刘志强，王湘晖，常胜江** 5 10 15 20 25 30 35 （南开大学现代光学研究所，天津 300071） 摘要：本文研究了一种十字型金属-半导体-金属亚波长孔阵列在太赫兹波段的传输性质和可 调谐性质。利用时域有限差分法，计算了该器件在不同浓度半导体载流子注入情况下的透射 谱、模式变化和相位移动，分析了不同浓度载流子与金属-半导体表面等离子体相互作用导 致异常透射峰蓝移的物理机制。结果表明，该器件能实现从中心频率 0.71THz 到 0.96THz、 带宽 100GHz 的可调谐带通滤波和强度调制，并且能实现在该频率范围内 0.88π的宽带相位 调制。 关键词：太赫兹波；金属亚波长孔阵列；表面等离子体；滤波器；调制器 中图分类号：TN253.1 Terahertz filter and modulator based on metal-semiconductor-metal subwavelength hole array Fan Fei, JiangZiwei, Liu Zhiqiang, WangXianghui, Chang Shengjiang (Institute of Modern Optics, Nankai University, TianJin 300071) Abstract: The transmission and tuning properties of a cross-shaped subwavelength hole array based on periodic metal-semiconductor-metal (MSM) structures have been investigated in the terahertz regime. We find that the resonance frequency and phase of this device can be actively controlled by the semiconductor injection of the MSM structures, and analyze the physical mechanism of this change. The numerical simulations show that this device acts as a tuable band-pass filter with the central frequency of 0.71~0.96THz, a intensity modulator, and a phase modulator with a phase modulation depth of 0.88π rad. Keywords: Terahertz; Metal subwavelength hole; Surface plasmon; Filter; Modulator 0 引言 近年来，太赫兹（THz）技术的快速发展使得 THz 波在光谱分析[1]、成像[2]、传感[3] 和通信[4]领域获得了广泛地应用。其中，宽带高速 THz 无线通信因有望获得大于 10Gbps 的数据传输而具有极高的科学研究和应用价值[5]。作为 THz 通信系统中的关键功能器件， 高速 THz 调制器越来越受到国内外的广泛关注。多种基于不同材料和结构 THz 调制器被文 献报道，如量子阱[6]、半导体超晶格[7]、光子晶体[8]和超材料[9]的 THz 调制器。然而，这 些器件的传输带宽、调制深度和调制速率等重要参数受到构成这些器件的材料的折射率、损 耗和响应时间的限制。因此，如何获得大工作带宽、低损耗、大调制深度和高调制速率的调 制器件，已经成为 THz 通信中急需解决的关键问题。 自 T. W. Ebbesen 等发现亚波长孔的异常透射现象后[10]，基于金属或半导体材料的亚 波长孔阵列在太赫兹波段也被广泛研究，大量理论和实验表明亚波长孔阵列对 THz 波有良 好的带通滤波性质[11-14]。并且，金属孔阵列在 THz 波段具有极高的峰值透过率和很低的 基金项目：教育部博士点基金(Grant No. 20090031110033),国家高新技术研究发展计划(Grant No. 2011AA010205), 国家自然科学基金 (Grant No., 天津市自然科学基金重点项目(Grant No. 10JCZDJC15200) 作者简介：范飞，（1986-），男，博士研究生，主要从事太赫兹微结构功能器件的研究。 通信联系人：常胜江，（1965-），男，教授，博士生导师，