集成电路基本培训教材（一）.ppt

2003.12 2003.12 培训教材 集成电路生产基本知识培训讲义 培训教材 用于制造集成电路的材料:半导体 集成电路制造工艺流程图介绍(Bipolar) 集成电路制造工艺流程图介绍(Bipolar) 集成电路制造主要工艺介绍 为什么要进行清洗? 沾污的来源 沾污的来源 沾污的来源 沾污对器件的影响 碱金属离子的沾污预防 外延工艺 外延工艺介绍 硅气相外延 外延设备简介 外延层质量的检验 外延中缺陷产生原因及避免方法 氧化的概念 SiO2的主要性质 氧化炉按工艺划分 什么叫CVD CVD形成薄膜时所利用的化学反应 CVD形成薄膜时所利用的化学反应(2) CVD常用气体的性质 LPCVD的主要工艺 LPCVD的应用情况 Si3N4---LPCVD Si3N4工艺要求 POLY—Si(LPCVD) POLY的工艺要求 TEOS(LPCVD) PECVD的主要工艺 PSG和氮化硅工艺 主要的工艺控制 离子注入的概念和作用 离子注入内部构造 离子注入机的工作原理 NV-6200高真空系统示意图 真空的作用 离子注入设计要求及设备要素 设计要求 所选掺杂原子 B, P, As, Sb 均匀注入 预定深度 所需浓度 Process Interface 射程与浓度 射程模型运用 射程模型运用 氧化层（SiO2）对注入工艺的作用 光刻胶（Photo-resist） 光刻胶（Photo-resist）对注入工艺的影响 沾污 能量沾污（1） 能量沾污(2) 能量沾污监控 杂质沾污 颗粒(Particle) 静电积累(Charging) EFG（Electronic Flood Gun） 常见问题(Trouble shooting) 离子注入与扩散对比 注入工艺小结 四探针法(Prometrix) 双注入 Ion Scan Therm-wave 测量与监控 培训教材 64 四探针法 均匀体电阻 ρ=2πS*V/I = 1/ n e μ 薄层电阻 R[]=π/In2*V/I = ρ/χ 常用的四探针自动测试仪，最多可测625 点，并可将数据自动作图（R[] Mapping） 优点 直接反映导电性能，重复性好，稳定性好 缺点 须退火，漂氧化层， 小剂量（5E12）不适用 培训教材 65 双注入(Double Implant) 注入小剂量杂质，比较基片方块电阻变化，以反映 晶格损伤程度 优点 能测小剂量（5E10） 缺点 准确性差，稳定性差 培训教材 66 Ion Scan 注入涂胶玻璃，测注入前后玻璃透射光强变化， 间接反映注入能量，剂量 优点 简单快速，测量范围大 缺点 准确性差，稳定性差，易造成碎片 培训教材 67 Therm-wave 用激光测硅片表面反射率变化，以反映注入后晶格损伤 优点 测量范围较大，准确性好，重复性好 简便快速 缺点 大剂量（E15）不适用，价格昂贵 培训教材 68 离子注入硅片后,会使一定数量的硅原子脱离原来的晶格位置而在硅片内形成微观损伤区,破坏晶格完整性。退火能够消除微观损伤区外,还能通过热过程消除晶格损伤，使注入杂质进入替位位置实现电激活。经过退火并不能使所有的损伤区都得到消除,但它们对器件的性能的影响已不大。 退火(Anneal) 典型炉管退火条件 剂量 温度 时间 B+ 1E15 930C 30min 1E15 970C 30min P+ 980C 30min As+ 4E15 1030C 30min 4E15 1080C 30min 培训教材 69 退火(Anneal) 牛眼图（Bulls Eye Pattern） 由于退火时硅片边缘温度高，中心温度低，如果未 充分退火，在R[]图上就会呈牛眼状 + + - - + - - - - 培训教材 70 退火(Anneal) 可以在很短的时间里将硅片加热至所需温度（100C/s）， 起到退火作用 大大缩短退火时间 几乎没有推进作用，已广泛应用在浅结工艺生产中 培训教材 71 快速退火(RTP) 在线RTP监控 培训教材 72 防止沟道效应，减少注入损伤 预注入氧化 B， P 200A～500A As，Sb 200A 注入阻挡层 氧化层可用来阻挡注入，所需厚度可由射程模型估算 屏蔽杂质 注入过程中溅射出的杂质，如铁、石墨等 培训教材 73 起注入阻挡层的作用 对注入工艺的影响： 阻挡作用 根据不同注入条件，胶厚度1.2~3um 特例： eslic P阱 B+，180keV 通过增加氧化层厚度解决 培训教材 74 翻胶，爆胶 胶的种类与Profile mask 与stepper，注入前烘（125C，40min） 注入冷却 硅片与衬底的接触，