场效应半导体晶体管培训课件.ppt

当UGS=0，加有一定UDS时，形成的漏极电流称为漏极饱和电流IDSS。当UGS＜0时，PN结反偏，ID将减小。 当UDS增加到使UGD=UGS-UDS=UGS(off)时，在紧靠漏极 处出现预夹断。当UDS继续增加，漏极处的预夹断区继续向 源极方向生长延长，直至漏极电流等于0。 JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线， 二是输出特性曲线。它与MOSFET的特性曲线基本 相同，只不过MOSFET的栅压可正、可负，而结型 场效应管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负， 以使栅源间反偏，没有栅流。JFET的特性曲线如图 4.5.4(a)和图4.5.4(b)所示。 场效应晶体管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三类： ① 开启电压UGS(th) (或UT)----开启电压是增强型MOS管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不导通。 场效应晶体管的型号, 现行有两种命名方法。其一是与 双极型晶体管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表 绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料。 例如，3DJ6D是结型N沟道场效应晶体管，3DO6C是绝缘 栅型N沟道场效应晶体管。 几种常用的场效应晶体管的主要参数。 请注意，此ppt课件具有动画效果，为减少单击鼠标次数，有一些动作设置成连续进行，在继续进行的动作没有完成前，不要单击鼠标，否则连续动作的效果将丧失。 请注意，此ppt课件具有动画效果，为减少单击鼠标次数，有一些动作设置成连续进行，在继续进行的动作没有完成前，不要单击鼠标，否则连续动作的效果将丧失。简要的文字说明见下一页。 请注意，此ppt课件具有动画效果，为减少单击鼠标次数，有一些动作设置成连续进行，在继续进行的动作没有完成前，不要单击鼠标，否则连续动作的效果将丧失。文字说明见下一页。 注：增强型MOSFET的漏极、衬底和源极是三段断开的短直线，表示零栅压时沟道不通，iD=0。而耗尽型MOSFET的漏极、衬底和源极是一条短直线，表示零栅压时沟道已经导通。 4.5 场效应半导体晶体管 4.5.2 绝缘栅场效应晶体管 4.5.1 结型场效应晶体管 4.5.3 场效应晶体管的参数和型号 双极型晶体管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种电流控制电流源器件（CCCS）。 晶体管英文称为Transister，在中文中称为晶体管或半导体晶体管。晶体管有两大类型: 一是双极型晶体管(BJT)， 二是场效应晶体管(FET)。 场效应型晶体管仅由一种载流子参与导电，是一种电压控制电流源器件（VCCS）。 4.5.1.1 结型场效应晶体管的结构 JFET的结构如图4.5.1所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道区 图4.5.1 结型场效应管的结构 PN结 域的结构。两个P区连在一起即为栅极G，N型硅的一端是漏极D，另一端是源极S。 根据结型场效应管的结构，只能工作在反偏条件下，才没有栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。 N沟道 右上角出现的是符号。 4.5.1 结型场效应晶体管 1. 栅源电压对沟道的控制作用 4.5.1.2 结型场效应管的工作原理 场效应管是一种电压控制电流源器件，它的漏极电流受栅源电压UGS和漏源电压UDS的双重控制。 图01.04.02 栅源电压的控制作用 在漏、源之间加有一固定 电压时，在漏、源间的N型沟 道中将产生漏极电流。 当UGS继续减小时，N沟 道将变窄，ID将减小，直至为 零。 当uGS＜0V时，PN结反偏，耗尽层从上下两个方向向中间靠拢，沟道将变窄，沟道电阻加大。随着uGS越来越负，沟道越来越窄，直至上下合拢，发生夹断。 UGS继续减小，沟道继续变 窄，ID直至减小为0。当ID=0时 所对应的栅源电压UGS称为夹断 电压UGS(off)。 IDSS UGS(off) 预加断 预加断 图4.5.3 漏源电压对沟道的控制作用 2. 漏源电压对沟道的控制作用 在栅极加上电压，且UGS＞UGS(off)，若漏源电压UDS从 零开始增加，则UGD=UGS-UDS将随之减小(反向电压增加)。 使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道从上至下呈楔形分布， 如图4.5.3所示。 4.5.1.3 结型场